PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Абрамов Сергей Николаевич (RU)

Изобретатель Абрамов Сергей Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Интегральная микросхема радиочастотного идентификатора

Интегральная микросхема радиочастотного идентификатора

Изобретение относится к интегральным микросхемам радиочастотных идентификационных устройств. Техническим результатом является обеспечение уменьшения размеров кристалла интегральной микросхемы радиочастотного идентификатора, а также возможности записи индивидуального кода в блок элементов памяти постоянного запоминающего устройства. Устройство содержит вывод контактной площадки (1), связанный с уп...

2465645

Устройство защиты от разрядов статического электричества выводов комплементарных моп (металл-окисел-полупроводник) интегральных схем на кнс (кремний на сапфире), кни (кремний на изоляторе) структурах

Устройство защиты от разрядов статического электричества выводов комплементарных моп (металл-окисел-полупроводник) интегральных схем на кнс (кремний на сапфире), кни (кремний на изоляторе) структурах

Изобретение относится к полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: в устройстве защиты от разрядов статического электричества выводов комплементарных МОП интегральных схем на КНС, КНИ структурах вывод контактной площадки (1) связан с латеральными диодами Д (2) и Д (3), стоком транзистора Т (4) и внутренними электродами схемы (10), латеральные диоды Д (2) и Д (3), анод Д (2) и катод Д...

2467431

Способ изготовления диода шоттки и диод шоттки, изготовленный таким способом

Способ изготовления диода шоттки и диод шоттки, изготовленный таким способом

Изобретение относится к области полупроводниковой промышленности, в частности к диодам Шоттки, и может быть использовано при создании микросхем радиочастотной идентификации в диапазоне частот сканирующего электромагнитного поля СВЧ-диапазона. Способ изготовления диода Шоттки включает формирование области N-типа внутри подложки P-типа, формирование разделительных областей двуокиси кремния на подл...

2523778

Устройство защиты от разрядов статического электричества выводов питания комплементарных моп (металл-окисел-полупроводник) интегральных схем на кремниевых пластинах с проводимостью n-типа

Устройство защиты от разрядов статического электричества выводов питания комплементарных моп (металл-окисел-полупроводник) интегральных схем на кремниевых пластинах с проводимостью n-типа

Изобретение относится к полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам, и может быть использовано преимущественно для защиты от воздействия разрядов статического электричества выводов и шин питания кристаллов комплементарных МОП микросхем, изготовленных на кремниевых пластинах n-типа проводимости, в частности на пластинах КЭФ-4,5. Устройство защиты от разрядов статическ...

2585882