Родионов А.В.

 1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектри...

 Способ получения изолирующих покрытий по авт. св. N 940601,отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения заряда в диэлектрических слоях при формировании диэлектрических слоев из газовой фазы, в нее дополнительно вводят триметилгаллий при мольном отношении к триметилалюминию (0,3 oC 10) : 1 и моногерман при мольном отношении к триметилгаллию и триметилалюминию (10-4 - 10-6) :...

 (19)RU(11)1137966(13)C(51)  МПК 5    H01L23/52Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СВЧ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкциям СВЧ биполярных транзисторов. Известен СВЧ биполярный транзистор, содержащий транзисторные кристаллы с эмиттерными и базовыми контактными площадка...

 Способ контроля качества металлизации, основанный на создании на полупроводниковой пластине тестовой структуры, выполненной в виде дорожки металлизации с контактными площадками, и пропускании через тестовую структуру тока с помощью зондов, прижимаемых к контактным площадкам, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности контроля и процента выхода годных изделий, через тестов...

 1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между ак...

 1. Устройство для регистрации металлических частиц в масляной системе газотурбинного двигателя, содержащее корпус и установленный в нем регистрирующий элемент, выполненный в виде диэлектрического барабана с равномерно расположенными перфорированными лопатками, на который с шагом, меньшим, чем величина допустимых частиц, намотан проводник, включенный в цепь с регистрирующим прибором, и сол...

 (19)SU(11)1195849(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/28(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Изобретение относится к полупроводниковой технике/ в частности к способам создания многослойных контактных систем. Цель изобретения - повышение точнос...

 (19)RU(11)1256616(13)C(51)  МПК 5    H01L29/73Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание мощных СВЧ-транзисторов. Цель изобретения - улучшение энергетических характеристик. На чертеже схематично изображен предла...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия. Цель изобретения - повышение выхода годных путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя aрсенида галлия. Осуществляют формирование канавок для подзатворных областей нормально за...

 Изобретение может быть использовано в системах связи, в запоминающих системах в качестве ключевого или усилительного элемента. Цель изобретения - уменьшение рассеиваемой мощности и уменьшение разброса параметров инверторов по площади кристалла. Инвертор состоит из полуизолирующей подложки 1 арсенида галлия, первого нелегированного слоя 2 арсенида галлия, толщиной 2000 , с фоновой концентр...

 Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на -легированной структуре, включающей полуизолированную подложку из арсенида галлия и d-легированный слой n - типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсен...

 Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении ИС на арсениде галлия. Сущность: структура включает субмикронный буферный слой, расположенный между подложкой и субмикронным слоем арсенида галлия n - типа проводимости. Буферный слой выполнен в виде последовательности чередующихся слоев арсенида галлия одного типа проводимости и -легированного...

 Система содержит датчики угла подъема стрелы, длины стрелы и массы груза, цифровую вычислительную машину. Машина предназначена для вычисления критических параметров, сравнения их с предельными и представления оператору текущей информации по информации, поступающей с устройства ввода-вывода. Имеются датчик звуковой информации, блок управляющих реле, дешифратор, подключенный к устройству ин...

 Изобретение относится к средствам для мытья и чистки предметов домашнего обихода, в частности для удаления жировых загрязнений и налета со столовых приборов, металлической посуды, эмалированных и керамических или хромированных поверхностей. Салфетка из нетканого полотна включает вискозные и/или полипропиленовые волокна линейной плотности 0,31-2,2 текс в соотношении 0-10 : 90-100 мас.%, те...

 Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике. Технический результат заключается в расширении области применения за счет введения технических средств, позволяющих рационально расположить резервные процессорные элементы и соответственно уменьшить число перенастраиваемых процессорных элементов и время реконфигурации. Устройство содержит блок адресной селекции минимальной конти...

 Изобретение предназначено для тонкого помола материалов в лабораторных условиях. Мельница лабораторная для тонкого помола материалов содержит цилиндрический полый корпус с размещенным внутри него ротором с ножами, привод вращения ротора и бункер. Ножи выполнены с пазами, в которых на осях с возможностью перемещения в радиальном направлении под действием центробежных сил и перекатывания по...