Никольский Ю.А.

 Миrротермоэлектрогенератор на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке представляет собой монокристаллическую матрицу n-InSb с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In. За счет этих включений - неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность возникает аномально высокая термоЭДС, равная 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К. Изобретени...

 Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике, при действии сильных электрических полей. Пленочный датчик электрического поля создан на основе перекристаллизованной пленки n-InSb (полученной перекристаллизацией в вакууме) на слюдяной подложке с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In, пленка n-InSb имеет толщину 1 - 2 мкм, концентрацию носителей заря...

 Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Сущность: Термоэлектрогенератор изготовлен на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-р-Si в виде подложки из окисленного кремния с перекристаллизованной пленкой n-InSb. За счет дислокаций несоответствия и значительной разности работ выхода контактирующих материалов возникает удельная термоЭДС...

 Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике в качестве запоминающих устройств. Элемент оптической памяти содержит гетероструктуру n-InSb-SiO2-P-Si, полученную путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при 300oС с последующей термической перекристаллизацией. Эффект оптической памяти составляет в нем ~ 40-50% при темпера...