Термоэлектрогенератор

Термоэлектрогенератор

Реферат

 

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Сущность: Термоэлектрогенератор изготовлен на основе гетероструктуры n-InSb-SiO₂-р-Si в виде подложки из окисленного кремния с перекристаллизованной пленкой n-InSb. За счет дислокаций несоответствия и значительной разности работ выхода контактирующих материалов возникает удельная термоЭДС ~40-50 мВ/К в диапазоне температур 77-300 К.

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Имеющиеся термоэлектрогенераторы на основе тонкопленочных структур n-InSb дают значение удельной термоЭДС ~800 мкВ/К [1].

Сущность изобретения Термоэлектрогенератор на основе гетероструктуры n-InSb-SiO₂-p-Si, полученной путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией пленки n-InSb, позволяет получать значения удельной термоЭДС 40-50 мВ/К как в области температуры жидкого азота, так и при комнатной температуре за счет барьерной термоЭДС, обусловленной дислокациями несоответствия и значительной разностью работ выхода контактирующих материалов.

Сведения, подтверждающие возможность изобретения Гетероструктуру n-InSb-SiO₂-p-Si приготавливают путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-InSb при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией. К p-Si и перекристаллизованной пленке n-InSb эвтектическим сплавом In-Sn припаивают тонкие медные проволочки для измерения ЭДС при создании разности температур на гетероструктуре. При разности температур около 10 К значения ЭДС достигают 0,4-0,5 В, что соответствует удельной термоЭДС ~40-50 мВ/К.

Источник изобретения 1. Патент SU 2130216, опубл. 10.05.1999, Бюл. 13.

Формула изобретения

Термоэлектрогенератор, содержащий гетероструктуру n-InSb-SiO₂-р-Si, отличающийся тем, что гетероструктура приготовлена путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-In-Sb при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией.