Парфианович И.А.

  Класс 1гг, 47 4!г, 5! н) № 71371 С С г Р,: * ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 0 С Е С О !О 3 1-! А з; 1 .1у юфта и 1 а1 1)й! В Л. Еремецко и A. В. Кузнецов! Г К Ь Л И О. T E.Ê.À ГАЗОВАЯ ГОРЕЛКА ДЛЯ ПЛИТ, ТАГ и ТОМУ ПОДОБНОГО :Заявлено 6 гяая !946 гола в Министерство машино и приборостроения СССР за М 50432 (34536 Опубликовано 3! января !949 года Предметом изо...

 Способ измерения дозы ионизирующего излучения по авт. св. СССР 537549, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения и повышения точности, в процессе подготовки чувствительного элемента к измерению в нем создают избыточный заряд, затем чувствительный элемент освещают светом, одновременно измеряя ток, до тех пор, пока остаточный заряд не упадет до заданного исходного значени...

 (19)SU(11)658638(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ОКГ Изобретение относится к области квантовой электроники, к активным элементам оптических квантовых устройств и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте оптич...

 (19)SU(11)762692(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЛАЗЕРА Изобретение относится к области квантовой электроники, к активным элементам лазеров и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте оптических квантовых усил...

 (19)SU(11)845721(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к твердотельным активным материалам оптических квантовых устройств и может быть использовано при изготовлении акти...

 Материал для термолюминесцентной дозиметрии ультрафиолетового излучения на основе фторида лития, содержащий активатор, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности материала и увеличения его ресурса, в качестве активатора использован уранилнитрат при следующем соотношении компонентов, вес.%: уранилнитрат0,002-0,1 литий фторостальное

 Способ изготовления активного элемента твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента в непрерывном режиме за счет повышения оптической устойчивости центров окраски, монокристалл после облучения ионизирующим излучением дополнительно по...

 Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание легированных двухвалентными ионами щелочно-земельных или(и) редкоземельных элементов кристаллов и аддитивное их окрашивание в парах щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн модулят...

 (19)SU(11)1123499(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРОВ, ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ И АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ Изобретение относится к квантовой электронике, к активным средам оптических квантовых устройств, и может...

 (19)SU(11)1152475(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии изготовления оптически...

 Активный элемент твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента при одновременном повышении частоты следования импульсов генерации, монокристалл фторида лития дополнительно содержит Mg++ O---комплексы.

 Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 3685 К до установления неизменного зн...