Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера

Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера

Реферат

Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание легированных двухвалентными ионами щелочно-земельных или(и) редкоземельных элементов кристаллов и аддитивное их окрашивание в парах щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн модулятора в длинноволновую область спектра, дополнительно после аддитивного окрашивания кристаллы закаливают при температуре в интервале 300-400°С, измеряют коэффициент оптического поглощения в максимуме F-полосы, отбирают кристаллы с коэффициентом поглощения, лежащим в интервале 30-300 см^-1, воздействуют на отобранные кристаллы излучением с длинами волн 400-900 нм до уменьшения коэффициента поглощения в максимуме F-полосы не менее чем в 2 раза.