Соболев Л.М.

 Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание легированных двухвалентными ионами щелочно-земельных или(и) редкоземельных элементов кристаллов и аддитивное их окрашивание в парах щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн модулят...

 Способ изготовления пассивного лазерного затвора на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего Z2-центры окраски, включающий выращивание щелочно-галоидного кристалла, легированного двухвалентными ионами щелочноземельных или редкоземельных элементов, и аддитивное окрашивание в парах щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью управления длительностью лазерных импульсов пикосеку...

 Способ изготовления пассивного лазерного затвора для лазера с длиной волны излучения 1,5 мкм, включающий выращивание в инертной атмосфере легированных двухвалентными ионами редкоземельных или щелочноземельных элементов щелочно-галоидных кристаллов, их аддитивное окрашивание, закалку при температуре в интервале 300 - 400oС и облучение светом с длинами волн 400 - 900 нм, отличающийся тем, ч...

 Способ изготовления пассивного затвора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание кристалла, легированного двухвалентными ионами редкоземельных или щелочноземельных элементов, аддитивное его окрашивание в парах щелочного металла, закаливание при 300 - 400oC, измерение коэффициента поглощения в максимуме F-полосы поглощения, отбор крис...

 Способ изготовления пассивного лазерного затвора по авт. св. N 1241965, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности лазерного импульса при работе затвора с нагревом до 50 - 90oС, кристалл дополнительно подвергают отжигу при 20oС в течение 1 мес., затем определяют коэффициент поглощения KF в максимуме F-полосы поглощения и проводят отбор кристаллов из условия где коэффициент п...