Абрамов Г.В.

  Класс 41d, 2,4. СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Пос)писни» группп Ло> 162 Г, И. Никольский, Г. В. Абрамов и И. А. Крапивин МАШИНА ДЛЯ ПРОПАРИВАНИЯ ЧУЛКА ВАЛЯНОЙ ОБУВИ :1аявлено 27 апреля 1960 г. за Х(а 664790/28 в Ко:»нтст по аслам изоретений и открытий при Совете .!!инистров СССР Опуо1ликовано n:(Á>îëëåòåíå изооретсни>1» Ма 22 за 1960 г. При изго...

  Класс 41d, 4 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная ариппа М 162 Ф. В. Игнатьев, И. А. Крапивин и Г. В. Абрамов МАШИНА ДЛЯ ОПРАВКИ ВАЛЯНОИ ОБУВИ НА МЕХАНИЧЕСКИХ КОЛОДКАХ ПОСЛЕ НАСАДКИ Заявлено 11 апреля 1960 г. за ¹ 662791!28 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мипистров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 22 за 1960 г. Известна...

  Класс 4) d, 4 № 148526 СССР 1л. . Р ГпЦТмо -;vниа;г(1 д 1 БИЬ 1ИОТЕЕА 0ПИСАНИЕ ИЗ0Ы ЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная ару гпа № 1б2 И, А. Крапивин, Ф. В. Игнатьев, Г В, Абрамов и Н. И. Кришталович СТАНОК ДЛЯ РАСТЯЖКИ ЗАГОТОВКИ ВАЛЯНОЙ ОБУВИ Заявлено 11 августа 1961 г. за № 741970/28-12 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликован...

 Сплав на основе меди, содержащий бериллий и металл, выбранный из группы, содержащий висмут, свинец и теллур, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводности, он дополнительно содержит кадмий при следующем соотношении компонентов, мас.%: Кадмий - 0,4-0,6 Бериллий - 0,01-0,5 Металл, выбранный из группы, содержащей Висмут - 0,05-0,1 Свинец - 0,05-0,1 Теллур - 0,001-0,01 Медь - Ос...

 Область использования изобретения: изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано при получении тонких покрытий из фоторезиста на пластинах. Сущность изобретения: технической задачей, решаемой при помощи предлагаемого устройства, является повышение качества покрытия посредством предотвращения на этапе нанесения дозы раствора фоторезиста механического кон...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано при нанесении покрытий, например из фоторезиста, на пластины. Технической задачей изобретения является повышение равномерности слоя покрытия. Сущность изобретения: при формировании слоя фоторезиста наносят дозу раствора на вращающуюся со скоростью 5000-7000 об/мин пластину, а после полного пок...

 Изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, а также в машиностроении. Сущность: устройство для ориентации пластин содержит столик с наклонными соплами для создания воздушной прослойки, ограничители, датчики конечного положения, причем ограничители выполнены в форме конического гнезда, а наклонные сопла равномерно расположены по окружности и поочередно...

 Изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, а также в машиностроении. Сущность изобретения заключается в следующем. Устройство для ориентации пластин содержит наклонный столик с соплами и боковыми ограничителями, которые наклонены к поверхности столика, сопла выполнены трех видов: первые два расположены на осях, параллельных направлению транспортирован...

 Изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, а также в машиностроении. Сущность изобретения заключается в следующем. Устройство для ориентации пластин содержит столик с наклонными и одним вертикальным соплами для создания воздушной прослойки, ограничители, причем ограничители выполнены в виде усеченной многогранной пирамиды, нижним основанием которой яв...

 Использование: при изготовлении полупроводниковых пластин, а также в машиностроении. Сущность изобретения: устройство для ориентации пластин содержит столик с наклонными и одним вертикальным соплами для создания воздушной прослойки, ограничители, причем ограничители выполнены в форме конического гнезда. Наклонные сопла равномерно расположены по окружности и поочередно наклонены в противоп...

 Использование: микроэлектроника. Способ получения покрытия из фоторезиста заключается в нанесении дозы фоторезиста на подложки и формировании слоя путем вращения подложки. При формировании слоя на пластине-эталоне после 3-5 оборотов вращения анализируемый участок пластины освещают пучком параллельных монохроматичных лучей, фиксируют время между максимумами интенсивности отраженного света...

 Использование: в микроэлектронике на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность изобретения заключается в следующем. В способе охлаждения полупроводниковых пластин между подложкодержателем и полупроводниковой пластиной размещают теплопроводящее вещество, в качестве которого используют газовую или воздушную прослойку, создаваему...

 Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии. Сущность изобретения заключается в том, что пучок излучения с длиной волны падает на...

 Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии. Сущность изобретения заключается в том, что пучок излучения с длиной нач волны падает на контролируемую подложку под углом , до и в процессе нанесения пленки регистр...

 Использование: микроэлектроника, на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: способ получения покрытия из фоторезиста включает нанесение на подложку дозы фоторезиста, формирование слоя и его предварительную подсушку. При этом подложка помещается на пневмовихревую воздушную прослойку, разгоняется до определенной с...

 Использование: при изготовлении полупроводниковых приборов, а также в машиностроении. Сущность изобретения: устройство состоит из корпуса, который содержит центральную - цилиндрическую и периферийную - кольцевую пневматические камеры, разделенные цилиндрической перегородкой, сообщающиеся с магистралями подачи сжатого воздуха через регулируемые пневмоклапаны, которые соединены с устройство...

 Использование: при изготовлении полупроводниковых приборов, а также в машиностроении. Сущность изобретения: корпус устройства для снятия фаски содержит центральную - цилиндрическую и периферийную - кольцевую пневматические камеры, разделенные цилиндрической перегородкой, сообщающиеся с магистралью подачи сжатого воздуха, привод вращения пластины выполнен в виде усеченного конического гнез...

 Изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, а также в машиностроении. Устройство состоит из корпуса, выполненного в виде цилиндра с центральным отверстием, диаметр которого больше диаметра обрабатываемых пластин. В корпусе предусмотрены внутренняя, средняя и периферийная концентрические кольцевые пневматические камеры, закрытые сверху круглой крышкой....

 Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Устройство для шлифования состоит из корпуса, содержащего центральную - цилиндрическую, среднюю и периферийную - кольцевые пневматические камеры, разделенные цилиндрическими перегородками и сообщающиеся с магистралями подачи сжатого воздуха. Привод вращения пластины выполнен в вид...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Устройство охлаждения полупроводниковых пластин содержит корпус с периферийной пневмокамерой, соединенной с магистралью подачи газа или воздуха и с рабочей зоной с одной его внешней стороны для размещения пластины, сообщающей...

 Изобретение относится к области микроэлектроники. Предложена линия фотолитографии, включающая модуль загрузки пластин, модуль струйной очистки, модуль обработки парами ГМДС, модуль термостабилизации, модуль формирования фоторезистивной пленки, модуль термообработки, модуль выгрузки. Линия фотолитографии является переналаживаемой под конкретный технологический маршрут за счет того, что мод...

 Использование: при изготовлении полупроводниковых приборов, а также в машиностроении. Техническим результатом изобретения является снижение количества загрязняющих частиц, привносимых на пластину из воздуха. Сущность изобретения: устройство для нанесения покрытий на пластины содержит приводной столик с механизмом крепления пластины. Над столиком с зазором расположен защитный кожух, устано...