СМИРНОВ Л.С.

  е4 93399 Ц,Кл Ф 04 8 1!26 904 8 9/46 удК 677.661 (088.8) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Т.И.ВОЛЯНСНй И Л.с.а ИРНОВ ОП%ОБ И УСТЮЙСТВО ДЛЯ ВЯЗАНИЯ НА К1УИОЧУЛОЧНЫХ ABTQllATAX ИЗДЕЛИИ С ЗАКШЪР4 МЫСК(М, НАЧИНАЯ С МЫСКА Заявлено I5 июня I95I г. За ю 444515/28-12 Опубликовано в бюллетене "Открытия, изобретения, промышленные образцы, товарные знаки" и за 197...

  о п и ймтМ ИЗОБРЕ ГЕНИ Союз Советсиии Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 130175 (21) 2095056/26-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет Опубликовано 150630 Бюллетень И9 22 Дата опубликования описания 1806.30 н 01 L 21/265 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий l (5З) УД (621. 382 (088. 8) (72) Авторы изобр...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, включающий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до больших доз (более 4-10*'* см'*) и при повьппенных плотностях тока (более 4 мкА/см'^ ), отличающийся тем, что, с целью снижения сопротивления контактов, перед внедрением на полупроводник наносят пленку металла, дающего тот же тип проводимости в полупроводнике, ч...

  Союз Советских Сециалнстических Республик (61) Дополнительное к авт, св ид-в у (22) Заявлено 2603,.75 (21) 2117491/26-25 с присоединением заявки HP (23) Приоритет Н 01 L 21/бб Государственный «омнтет СССР по делам изобретений и открытий Опубликовано 150680. Em»+ е» Ио 22 (з) ПЖ 621. 382 (088.8) Дата опубликовании описания 130630 (72) Авторы изобретения А.А. Гаврилов, Г.A. Качу...

  1. СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЯХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ с помощью светового импульса *1ощностью 10Т-10* Вт/см' и длительностью импульса 3 мс'- "10 не, о т - личающИйся тем, что, с целью исключения эрозии планарной поверхности пластины, возможности проведения отжига в многослойных структурах и упрощения технологии, световой импульс направляют на поверхность полупроводник...

  СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий измерения основных параметров, отличающийся тем, что, с целью обнаружения дефектов, обусловленных отклонением от равновесных условий вьфащивания полупроводниковых материалов и упрощения способа, контролируемый материал после измерения параметров облучают легкими частицами с энергией 0,5-5 МэВ до изменения измеряемых параметр...

  1. СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ СТАБИЛЬНОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМЩЛЯ к термическим и временным факторам, включающий облучение элект роками или «-квантами с энертией О,5- :2О МэВ в сочетании с отжигом, о т « личаюшийся тем, что, с целью ;увеличения степени стабильности харак .тернстик кремния, .облучение провоцят с дозой Ф « 1О в- 1О частиц/см, а отжиг ведут при 740-1О70°К. 2.Способ по...

  Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых материалов и приборов от рекомбинационно-активных примесей. Цель изобретения - повышение эффективности геттерирования и снижение температуры процесса. Достигается за счет облучения полупроводниковой структуры с геттерирующим слоем легкими частицами высоких энергий. Отжиг,проводится одновременно с облучением илипосле нег...