Семенов Л.Г.

  Эй 125811 Класс 21а, 32 о4 21a, 35о1 57а, 34о СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А8ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Л. Г. Семенов СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРЯМОУГОЛЪНЫХ КОЛЕБАНИЙ МЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ Заявлено 5 марта 1966 г. за Ж 676709i26 в Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 3 за 1960 г. В ряде быстродействующих устро...

  до 1ЗЗо о7 Класс ф)с, 1 СССР ГАЛС Д." . 14 Г Р 1Г.„",— описания изоь ктгния К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Под гисная грг1ггна Ло 162 Л. Г. Семенов ГОДОВИОЙ РАБОЧИЙ УБОР ДЛЯ ГИДРОМОНИТОРЩИКА Занвлено 21 апрели 1260 г за ¹ б64275/28 в Когнитет riu делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано B «Бголлетене II:iîбретеиий» № 22 3 )ЧБО г, Известен гол...

 Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий нанесение слоя алюминия на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, формирование рисунка нижнего уровня разводки, создание межуровневой изоляции последовательным нанесением первого слоя двуокиси кремния при 250-300°С и второго слоя двуокиси кремния, вскрытие контактных окон к ни...

 Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью ул...

 Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок...

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Использование изобретения повышает качество межэлементных соединений за счет уменьшения величины нарушенного слоя подложки. Материал контактно - барьерного подслоя для межэлементных соединений интегральных схем включает кремний и алюминий при следующем соотношении ингр...