Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем

Реферат

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий нанесение слоя алюминия на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, формирование рисунка нижнего уровня разводки, создание межуровневой изоляции последовательным нанесением первого слоя двуокиси кремния при 250-300°С и второго слоя двуокиси кремния, вскрытие контактных окон к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки из алюминия, термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности разводки интегральных схем за счет уменьшения механических напряжений, первый слой двуокиси кремния наносят толщиной 0,15-0,25 мкм в плазме ВЧ-разряда при парциальных давлениях гексаметилдисилоксана и кислорода в смеси 0,1-0,2 и 0,5-1,0 Па соответственно и плотности мощности 0,35-0,65 Вт/см².