Тузовский А.М.

  Класс )2i, ЯЯ № 145224 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л3 45 В. Г Хребтищев, Я. Д. Калинбет, 3 Л. Гурович, А. М. Тузовский. В. С. Малороссиянов, А. Д. Бодров и С. А, Покровский СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ Заявлено 3 апреля !961 г. за М 724723/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бголлетен...

 Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на поря...

 Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подл...

 Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают не...

 Изобретение относится к области радиоэлектроники, а именно к конденсаторостроению, и может быть использовано в конструкциях ГИС и СВЧ-аппаратуре. Целью изобретения является повышение надежности и добротности при обеспечении возможности матричного исполнения. Конденсатор выполнен из высокоомного поликремния с локальным монокристаллическим "карманом", выполняющим функцию нижней обкладки. Пр...