Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках
Патент 999872
Авторы
Классы МПК
Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках
Реферат
Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.