Епихин Ю.В.

 Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подл...

 Способ переработки кубовых остатков производства поликристаллического кремния, включающий двустадийное хлорирование кубовых остатков в жидкой фазе с получением тетрахлорида кремния, отличающийся тем, что, с целью снижения взрывоопасности процесса и повышения чистоты получаемого тетрахлорида кремния, используют кубовые остатки с массовым соотношением содержания тетрахлорида кремния и сумма...