Ржанов А.В.
Изобретатель Ржанов А.В. является автором следующих патентов:
Способ выращивания монокристаллических слоев
1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в...
218324