Способ выращивания монокристаллических слоев

Способ выращивания монокристаллических слоев

Реферат

 

1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в область минимума теплового поля иглообразную монокристаллическую затравку, кристаллографическая ось которой совпадает с ее геометрической осью, и снижают температуру расплава по заданной программе.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения слоя на несмачивающейся подложке, растягивают расплавленный слой на подложке при введении в контакт с ним контура из смачивающегося вещества.