C30B7 - Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; под защитной жидкостью C30B 27/00)

Способ получения монокристаллов из растворов солей

¹ 65325 СС CP Класс 12с, 2 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ Зпреапстрпр H. Н, Шефтал спасов получения 1чонокристлллов из рАствогов солеЙ Заявлено августа 1941 года в Наркомэлектропром за Л" 47234 (30770б) Опубликовано 31 октября 1945 года Предмет изобретения Способ получения монокристаллов из растворов солей с вращением выращиваемого кристалла в ðàñтворе, отличающийся тем, ч...

65325

Способ выращивания монокристаллов

Л 66668 Класс 12с. 2 СССР H. H. Иефта((ь СПОСОБ ВЫРАЩИ ВАН ИЯ МОИО((,Р) :3> И ((Т Б !Oil) IIX. Xi(>Т()ла. l>hl j) ) ВЗО. .1> i(O . i !(!!;! () ЫТЬ (3hl p(;3 CKOlI !iOf3(. j) Il(7C > !i ()СГЕИЕ()а!!ВОИНЫ!! СГ!ОИ 00))а;35 ЕТ Я .>!> Т111>i >1;1 В .!> Т ! ) И !! < I !) И БКИ ВОЗ! i II K II!00 li .) Il, 1()!1::.. !(())Ò(с )0()cl. oi,а >1;(,op 1 :1!!!с (к!)иста,;!. !, ! >1)(...

66668

Способ и устройство для выращивания кристаллов

.йыхви 72182 Класс 12с, 2 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ С ВИДЕТЕЛ ЬЬТВ 11 АТГ.!17.. :.:1 (, Тr: вт -Г г» г 1с q А, А. Штернберг СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Заявлено 30 гпоня 1947 г. за М 35775б в Министерство промышленности средств связи СССР Для однородности питания растущего кристалла ссг11етовой соли автором разработан способ выращивания...

72182

Способ выращивания блока "косого" среза из кристаллов сегнетовой соли

Класс 12с, 2 СССР О 11 И О А 1-1 И Е И 3 О Б Р Е Т Е Н И Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ П. Г, Поздняков СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ БЛОКОВ «КО ИЗ КРИСТАЛЛОВ СЕГНЕТОВОЙ Заявлено 17 апреля 1948 года,в Комитет по изобретениям и открытиям при Совете Министров СССР за М 377723 Опубликовано 31 декабря 1949 года 173 Выращивание кристаллических блоков, ориентированных в направлении основных кри...

78449

Способ выращивания кристаллов

r-=: Эвола>азНЯ.1> и..--: н". те.к: .-. > ::ними л„;.,;,;ота:.1а г и А С С С F Класс 12с, 2 _#_. 98040 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ П. Г. Поздняяов СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Заявлено 26 сентября 1947 r, за М 476/А-2183/370296 в Министерство промышленности средств связи СССР Опубликовано в Бюллетене изобретений» 3% 5 за 1954 г. Скорости роста кристаллов с...

98040

Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа

М 100124 Класс !2с, 2 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ П. Г. Поздняков СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ЭТОГО СПОСОБА Заявлено 15 марта 1952 г, за М Л-1383/449418 в Министерство промнннленностн средств связи Известны способы выр;пциваиия кристаллов из растворов в условиях пополиеция истощаемого в процессе кристаллизации раствора кри...

100124

Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов

тТ,» 1i"Ilqayr8 Класс 12с, ВСССГ, Ш TL< 1 Гз Х1 т Т,п. БИБ„ 1иптЕ g i ОПМСАЯ ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ П. Г, Поздняков и А, A. штернберг СПОСОБ ИЗГОтОВЛЫИЯ ЗАТРАВОК ДЛЯ ВЬЮЛЩИВЛНКЯ КРИСТАЛЛОВ Заявлено 7 января 1952 г. в Министерство проеяышлепности средств связи СССР за ¹ А-1164)450193 Фосфат аммония (однозамещенная аммонийная соль ортофосфорной кислоты) обр...

100988

Способ выращивания кристаллов

Класс 12с, 2 :CCP ОПИСАНИЕ ИЗОБРКТКНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А. A. Штернберг и П. Г. Поздняков СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Заявлено 2 декабря !952 г. за М Л-1942/450364 в Министерство промышленности средств связи К особенностям роста кристаллов виннокислого этилендиамина, используемых как материал для изготовления пьезоэлектрических резонаторов, следует отнести большое...

101179

Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок

Класс 12с. а ;:! е 1jl i C СССР Займ, . / 1л p-; НИ A. A. Ц1тер:.-:берг и П. Г. .1озд.»яков СПОСОБ ИЗГОТОРЛЕНИ1;1 ЗЛТРАЕОг, ДЛЯ ВЬ1РЛЖИВАИИс! Yi :. 1 АЛЛ ОВ В Л 1 11ОР,11" ЛО" O » ; -Л Е1Я И С О% ОБ ВЫРАЦИВАИИЯ 11ОСЛЕДЕИХ,:! 3 ЭТИ) 3АТР.-,.30» ; 3» язяено 3 нюня 1952 г. зн М Л-1610, -1503 3 -,:1п1п!степсте, нромьпппе»»ностп сре;..стя сня".н 11ринято считать, что в гнооом...

101189

Способ динамического выращивания монокристаллов

Класс 12с, 2,% 108256 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 С. К. Попов и Н. Н, Шефталь СПОСОБ ДИНАМИЧЕСКОГО ВЫРАЩИВАНИЯ МОНО КР ИСТАЛЛОВ Заннлено 9 апрели 1946 Г, аа № 1294/422068 в Народны11 Комжеариат Электропромышленности П р е j I t (ò и з о б р е T (tt è tt В известных способах выращивания кристаллОв для Оптического, пьсзоэ,н ктрического и иных назнан...

108256

Прием выполнения динамического способа выращивания монокристаллов

Класс 1Ис, 9 М 108804 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ЗАВИСИМОМУ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Н. Х. Шефталь и С. К. Попов ПРИЕМ ВЫПОЛНЕНИЯ ДИНАМИЧЕСКОГО СПОСОБА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ :1яявлено 26 сентября 1950 г. зя № 426427 в 1 осгехннку С(.CP Основнос явт, св. № 108256 от .30 ноябри 1956 г. ня имя тел же лии Известен способ динамического Предмет изобретения выращивания кристаллов ....

108804

Способ выращивания кристаллов

_#_o 113626 Кс!асс 12 с, ) C.(СР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ П. Г. П О3;I H51 KO8 СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИ/! КРИСТАЛЛОВ ) )< 5« ) 1 Е « () 2 « ) < », вЂ, С (> С;);« :) " "Г it(: . . < C ti(;lt .!) )t: 1 j,) t, ()I . 1 l O t> t) Г < H l> 51 (I I (>О,1()вЂ” . (il lO I (Il< ) I l(1 !)О >! f) il.> Ill! Ilil I! ) < 51 (j) f) OI.), ! «)!1! !(!I. (О< I> l11(1!! j)(l i„...

113626

Кристаллизатор для выращивания кристаллов из раствора

Класс 12с, 2 СССР Б "5 " ""--: ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа .Ч 39 Л. М. Беляев, А. Г. Карпенко, Б. В. Витовский и Г. Ф. Добржанский КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ВЫРАЩИВАКИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА Заявлено 14 января 1960 г. за М 650602/23 в Комитет о делам изобретений и открытий при Совете Ииниетров СССР Оп бликовано в «Бюллетене изобретений»...

132615

Способ выращивания монокристаллов

Класс 40 № 4 за 1961 г. Существующие методы выращивания монокристаллов имеют ряд недостатков, одним из которых является то, что форма движения кристалла (вращение или покачивание кристалл1!затора) не обеспечивает надежную гермитизацию и не позволяст выращивать кристаллы в ускоренном режиме в формах. Для обеспечения постоянства технологических параметров в процессе образовани...

136057

Патент ссср 152741

№ 152741 Класс С 22f; 40d, 1» СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа № 1б1 Г. А. Куров, В. Д. Васильев и М. Г. Косаганова СПОСОБ ВЪ|РАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Заявлено 9 ноября 1961 г. за № 750908/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 2 за 1963 r. Известные способы выращивания моно...

152741

Вращающийся кристаллизатор

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ бо1оз Советским Социалистическим Республик.В(. ; (,. г1 g - 1У -ХЩц . / Д г IIJI / ск4 "-7ит T:" 1(л. 12с, 2 3 аВпсп к! Ос оТ аlВт. сВидстсльс i ва ¹ Заяв ieiio 28Л .1964 (№ 902750/23-26) с присоединением заявки ¹ Приоритет Опубликовано 09,VI,1966. Бюллетень ¹ 13 Дата опубликования описания 14Х111.1967 МП1 В Old УД1(, 66....

197505

Способ выращивания монокристаллических слоев

1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в...

218324

Способ изготовления шихты для вырашивания искусственных кристаллов оптического кальцита

273I75 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соввтских Социалистических Рвспублик Зависимое от авт. свидетельства №вЂ” Заявлено 21.|.1969 (№ 1300392/23-26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 15.V1.1970. Бюллетень № 20 Дата опубликования описания 17.IX.1970 Кл. 12g, 17/00 МПК В Olj 17/00 УДК 548.55(088.8) Комитет по делам изобретений и открыт...

273175

Шихта для выращивания ферромагнитных монокристаллов

О П И C А Н И Е 394317 ИЗОБРЕТЕН Ия Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЙТИЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 09.ll.1971 (№ 1630311/23-26) с присоединением заявки Л! П1м!орит" I М.Кл. С Olg 49/00 В 011 17/06 Государственный комитет Совета Министров СССР пю делам изобретений и открытий Ои) бю!икова!!о 22.V Ill.1973. Бюллетень № 34 Дата...

394317

Способ выращивания кристаллов дигидрофосфата калия

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ti 0425420 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.05.71 (21) 1655597/23-26 с присоединением заявки № (51) М, Кл С ЗОВ 7j00 Государственный комитет Приоритет ло делам изобретений (43) Опубликовано 30.08.82. Бюллетень № 32 (53) УДК 548.0:535 (088.8) и открытий (45) Дата опу...

425420

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йод...

913753

Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее криста...

955741

Устройство для выращивания кристаллов из раствора

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА, содержащее кристаллизатор, снабженный держателем для крепления затравки, установленным вертикально с возможностью вращения и имеющим мешешку, размещенную на его оси на затравкой, Ь т л и ч а ю щ е е с я тем, чю, с целью улучшения условий омывания растущего кристалла и повышения за счет этого его структурного совершенства, устр...

1065507

Способ определения температуры насыщения раствора

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НАСЫЩЕНИЯ РАСТВОРА, включающий наблюдение в прозрачной емкости с раствором различия показателей преломления в дворике кристаллизации около кристалла и общей массе раствора с визуальным фиксированием момента установления равенства показателей преломления, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса определения, момент установления равенства пок...

1096312

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из растворов для лазерной техники. Целью изобретения является повышение производительности устройства и качества кристалла. Повышение скорости роста кристалла и его качества обеспечивается формированием тонкого и однородного диффузионного слоя питающего раствора, который подается через щелевидное сопло, периодически перемещающееся вдоль расту...

1342056

Подкатегории

Патенты в этой категории