Вращающийся кристаллизатор

Вращающийся кристаллизатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ бо1оз Советским

Социалистическим

Республик.В(. ; (,. г1 g - 1У -ХЩц . / Д г

IIJI / ск4

"-7ит T:"

1(л. 12с, 2

3 аВпсп к! Ос оТ аlВт. сВидстсльс i ва ¹

Заяв ieiio 28Л .1964 (№ 902750/23-26) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 09,VI,1966. Бюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 14Х111.1967

МП1 В Old

УД1(, 66.065.52(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Автор нзобрстеция

Б. И. Бирман

Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов

Заявитель

ВРАЩАЮЩИЙСЯ КРИСТАЛЛ ИЗАТОР

Изобретение относится к конструкции кристаллизаторов для вь1ращивання кристаллов.

Известен кристаллизатор для выращиванияя криста; лов, имеющий гра|цающнйся корпус, по центру которого разме.цена ось с закрепленным на нен кристаллодср>кателем с кристаллом. Этот кристаллизатор подпитывают раствором из сосуда растворения кристаллов, что не обеспечивает необходимои рагномерной концентрации растьора.

Предло>кепный кристаллизатор, благодаря конструктивному объединению в Одном аппара1е камеры для раствор: ння крнсталлоз и самого крксталлизатора путем последовательной установки за обоймои с кристаллодержателями кОльцОВОЙ псрсгородки, дискоВой перегородки и фигурнь1х кольцевых диафрагм, позволяет интенсифицировать процесс роста кристаллов за счет омывания их рас. твором равномерной концентрации.

На черте>ке изображен предложенный кристаллизатор. Он содер>кит термостатированный вращающийся корпус 1, по центру которого про.(одит ось 2 с обоймой >. 11а обойме закреплены крнсталлодсржатслн 4. За обоймой последовательно установлены дисковая перегородка 5, кольдевая перегородка б и фигурные кольцевые диафрагмы 7. Кристаллизуемое вещество и раствор загружают через люк 8.

Основной принцип омывания кристаллов раствором при работе крнсталлнзатора сосT0lIT l3 СЛСДУ1О1ЦЕМ. ак как крнсталлнзатор заполнен раствором нснолностью, то В нем, прн его враще.

llllll, сохраняется свободный уровень, если скорость вращения меньше критической, при которой жидкость может удерживаться в

Верхней точке под воздействием центробежной силы. При условии наличия свободного уровня раствор стремится остаться на месте и переливается по периметру вращающегося крнсталлнзатора, а кристаллы, псремещаясь как одflo целое с кристаллизатором, омываются им. При этом в зависимости от положения уровня раствора возможны два режима р а 0 o T 1>I .

Первый — когда уровень раствора располо>кен гышс верхней точки возможного положения кристаллов, которые непрерывно омываются в процессе роста, н второй когда уровень раствора расположен ниже верхней точки возможного положения кристаллов, которые в процессе роста перноди-ieci(II погружа1отся в раствор н извлекаются пз ».

При работе по первому режиму интенсификацпя разрушения «дворика кристаллизации» осущсствляется за счет увеличения скорости

30 вращения. При работе по второму режиму

197505

Составитель Л. А. Регинская

Текре,(Л. Я. Бриккер Корректоры: Л. В. Наделяева и T. Д. Чунаеьа

Редактор Л. К. Ушакова

Заказ 2511,9 Тира/, 535 Подписное

Г111ИИГ!И Комитета llo делагн изобретений н сткрытий прп Совете Министров СССР

Москва, Центр, нр. Серова, д. 4

Тнногра 1н1я, пр. Сапунова, 2 интенсивное разрушение «дворика кристаллизации» происходит как при омыванип, так и особенно при выходе кристалла из 1;аствора в паровое пространство и стекания с него капель жидкости.

При работе по обоим режимам в предлагаемом кристаллпзаторе значительно меньшая по сравнению с другими опасность нарушения качества роста кристаллов из-за образования паразптпых кристаллов.

Образование паразитных кристаллов в месте расположения основных мало вероятно, так как онп будут отбрасываться к периферии центробежными гидродинамическими потоками, пде за счет интенсивного омывания в пограничном слое и сравнительно оольшей температуры они будут растворяться. B результате этого в предлагаемом кристаллизаторе можно поддер>кивать более высокую разность темпералр между зоной растворения и зоной роста, что приведет к существенному увеличению скорости роста.

Предмет изобретения

1. Вращающийся кристаллизатор для выращивания кристаллов из растворов, имеющий термостатированный цилиндрический корпус, по центру которого оазмещена ось с закрепленной на пей обоймой с кристаллодер>кателями, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса, он снабжен дисковой перегородкой, кольцевой перегородкой и ф1ггурными кольцевыми диафрагмами, последовательно установленными за обоймой с кристаллодержателями.

2. Кристаллизатор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста кристаллов, конец кристаллодержателя в верхнем положении расположен выше уровня

20 раствора.