Патент ссср 152741

Патент ссср 152741

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 152741

Класс С 22f; 40d, 1»

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 1б1

Г. А. Куров, В. Д. Васильев и М. Г. Косаганова

СПОСОБ ВЪ|РАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Заявлено 9 ноября 1961 г. за № 750908/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 2 за 1963 r.

Известные способы выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов, например, вытягиванием из расплава, зонной перекристаллизацией, выращиванием дендритов, не позволяют получать монокристаллы в виде тонкого слоя, прочно сцепленного с подложкой из инородного материала.

Предлагаемый способ дает возможность получать монокристаллы, например, германия в виде тонких пленок путем испарения в вакууме исходного материала через сетку на подложку с последующей рекристаллизацией.

Сущность способа заключается в следующем. Исходный полупроводниковый материал испаряют в высоком вакууме на подложку через сетку. В результате этого материал конденсируется из молекулярного пучка на подложке в виде множества отдельных поликристаллических образований («островков») слоя. Размер, форма и положение каждого

«островка» соответствуют определенной ячейке сетки. Так как при собирательной рекристаллизации (в частности в тонких слоях) рост кристаллов прекращается практически при достижении определенного размера кристалла, зависящего в основном от условий проведения опыта (температуры отжига, чистоты материалов и пр.), диаметр ячейки сетки должен быть меньше указанного предельного размера кристалла, а также достаточно малым, чтобы поперечные размеры кристаллов в

«островке» позволяли сохранить высокую скорость роста.

Полученный образец подвергался затем длительному отжигу в высоком вакууме (или в атмосфере инертного газа) при температуре, обеспечивающей требуемую скорость роста кристалла. Для германия такая температура лежит в интервале 900 †9 . В результате процесса № 152741

Предмет изобретения

Способ выращивания монокристаллов, например германия, отлич а ю щийс я тем, что, с целью получения их в виде тонких пленок, осуществляют испарение исходного материала в вакууме через сетку на подложку с последующей рекристаллизацией.

Составитель С. Портер

Редактор H. Л. Корченко Техред A. А. Камышникова Корректор Л. М. Комарова

Формат бум. 70Х108 /и

Тираж 726

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Подп. к печ. 25/XII — 62 г

Зак, 3762/11

Объ м 018 изд л

Цена 4 коп.

Типография, пр. Сапунова, 2. собирательной рекристаллизации в пределах каждого «островка» за счет поглощения мелких кристаллов вырастает один монокристалл, занимающий всю площадь <островка».

Материал подложки может быть аморфным или кристаллическим и должен быть достаточно жаропрочным в условиях отжига. В случае кристаллической подложки желательно использовать монокристалл.

Если подложка поликристаллическая, то расположение ячеек сетки должно находиться в полном соответствии с размером и расположением граней зерен на поверхности подложки, чтобы каждый «островок» слоя помещался целиком на одном зерне.