Патент 65325

Способ получения монокристаллов из растворов солей

 

¹ 65325

СС CP

Класс 12с, 2

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ

Зпреапстрпр

H. Н, Шефтал спасов получения 1чонокристлллов из рАствогов солеЙ

Заявлено августа 1941 года в Наркомэлектропром за Л" 47234 (30770б) Опубликовано 31 октября 1945 года

Предмет изобретения

Способ получения монокристаллов из растворов солей с вращением выращиваемого кристалла в ðàñтворе, отличающийся тем, что кристаллу сообщают двойное вращение: вокруг геометрической оси .атравки и вокруг второй оси, параллельной первой.

Техн. редактор М. В. Смольякова

Тираж 500 эк». Цена 65 к. Зак. 375

Отв. редактор Д. А. Михайлов

А04696. Подписано к печати 2/IV-1947 г

Типография Гослланиздата им. Воровского, г. Калуга

Для ускорения роста однородных монокристаллов, получаемых из растворов, применя1от покачивание кристаллиз атора или вращают растущий кристалл вокруг его оси.

Эти методы, хотя и дают положительный эффект, Но не приводят к большому повышению скорости роста, так как не обеспечивают достаточно быстрого и равномерного гоступления к кристаллу свежего раствора. В этих случаях прилежащая масса раствора движется вместе с кристаллом и при попытках ускорить рост охлаждением на кристаллах возникают неоднородности.

Предлагаемый с пособ,получения х онокристаллов из растворов солей с вращением вырагцйваемого кристалла !в растворе заключается в том, что кристаллу сообщают двойное вращение — — вокруг геометрической оси затравки и вокруг эксцентричной по отношению к кристаллу оси вращения.

Кристаллическая затравка в виде пластины, стержня, затравочного кристаллика и т. д. укрепляется эксцентрично !па отношению к оси вращения и !приводится в движение соответствующим механизмом. Кроме вращения вокруг эксцс.1тр1: и;о расположенной оси, затравка вращается одновременно вокруг собственной оси. Двойное движение обеспечивает быстрое if равномерное поступление свежего раствора ко всеи поверхности кристалла ii

ef n быстрый рост.

В одном кристаллизаторе можно вь1ращивать один нли несколько кристаллов. Оси вращения моту г быть расположены, горизонтально, вертикально или íак;юнно. Кристалл .»!ожет расти сверху внпз, или снизу вверх, а также в обе стороны, в зависимости от способа укрепления его на подкладках или стержнях.

При выращивании нескольких кристаллов можно вращать их в одну или в разные сторо -f»f.