Способ и устройство для выращивания кристаллов

Способ и устройство для выращивания кристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

.йыхви 72182

Класс 12с, 2

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ С ВИДЕТЕЛ ЬЬТВ

11 АТГ.!17.. :.:1 (, Тr: вт -Г г» г 1с q

А, А. Штернберг

СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Заявлено 30 гпоня 1947 г. за М 35775б в Министерство промышленности средств связи СССР

Для однородности питания растущего кристалла ссг11етовой соли автором разработан способ выращивания кристаллов в растворе, В кристаллизатор 1 цилиндрической формы (см. чертеж) полезной

eмl<ост1но 7 — 9 .т налива1от раствор, II Ich111Io lllblÉ lIpH 42 Il нагретый до

52. Кристаллизатор накрывают стеклянным диском 2, охвачегц1ым для обсспсчсппrI герметичности резиновым ко".üöîì 3. B центре крышки вмонтирована бронзовая направляющая втулка 4, в которую вставлена вертикально вращающаяся ось — кристаллоносец 5; он имеет коническую форму, которая обеспечивает легкий съем кристалла. В самом низу нарезаны два паза: кольцевой, предупрсждаюший спадение кристалла с оси, и вертикальный, предупрсхкдающий проворачивание кристалла.

По мсрс роста кристалл врастает в эти пазы и укрепляется на осп.

Кристаллоносец оканчивается стальной шпилькой б, к которой воском прн <лсивают затравку 7, имеющую следующие размеры по осям: Х=1,5;

7=-0,8; Z.=5,0.

Верхняя часть затравки на 5 л1л отстоит от низа крпсталлопосца.

Вся затравка, за искл1очением верхнего среза, покрывается сло м воска и таким образом оказывается как бы в восковой сумочке, предохрапяюrIieiI cc or растворения при погружении в сильно перегретый раствор.

Г1ослс охлаждения растет верхняя грань затравки площад1,1о всего

1 лв1, что исключает необходимость тратить время на рсгенерацшо затравки

Крпсталлик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкую шпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосцс, врастая в пазы.

При пепрсрывном врашении кристалла со скоростью 30 — 60 аб!л1ин происходит его рост при снижении температуры раствора.

Вначале устанавливается температура на 1,5= ниже температуры насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10 л1л1 в сутки по оси Z. Для поддержания этого нсресыгцен ls» суточный спад тем-.ературы рассчитан по формуле:

g = 1/ 2 где Р г — искомая температура; х — длительность роста в сутках; V— объем раствора; Рв — исходная температура. № 72182

Предмет изобретения

1. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли, о тл ич а «о шийся тем, что затравку кристалла перед внесением в пересыщенный раствор заключают в восковую или из другого подобного материала оболочку.

2. Устройство для осуществления способа по и, 1 с применением кристаллодержателя, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что кристаллодержатель. снабжен на своем нижнем конце кольцевой выточкой и продольной: сквозной щелью с целью самоукрепления кристалла на квисталлодер ж ателе.

Редактор Н. А. Седов

Техред А, А. Камышникова

Корректор Л. Комарова

Поди. к печ. 1.111-6! г

3 а к. 10690

Формат бум. 70 108 !iв

Тира«к 2"0

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский, пер. д.

Объем 0,17 уел. и. л

Цсна 3 «сзп. открытий

2,/6

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобрстений открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петро ка, 14.

Технические преимущества этого метода зак T«G.аются в следующем.

1. Максимальное использование объема кристаллизаторов и: раствора, В кристаллизаторе емкостью 8 л вырастает кристалл весом 4 кг; при этом, по мере роста и приближения кристалла к стенкам сосуда, условия обмывания его поверхности улучшаются, чего нельзя достигнуть иным методом перемешивания.

2. Рост кристалла начинается от точечной затравки, что исключает наследственные искажения кристаллической решетки.

3. Затравка погружается в сильно перегретый раствор (на 10 ), что. предохраняет от паразитических кристаллов.

4. Выращивание производится при значительном переохлаждении (1,5 ), чем достигается большая скорость роста кристаллов (в среднем.

3,5 лм за 20 дней) и снижаются требования к терморегулировке.