Способ выращивания кристаллов

Способ выращивания кристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

r-=: Эвола>азНЯ.1> и..--: н". те.к: .-. > ::ними л„;.,;,;ота:.1а г и А С С С F

Класс 12с, 2

_#_. 98040

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

П. Г. Поздняяов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Заявлено 26 сентября 1947 r, за М 476/А-2183/370296 в Министерство промышленности средств связи СССР

Опубликовано в Бюллетене изобретений» 3% 5 за 1954 г.

Скорости роста кристаллов существенным ооразом зависят от скорости притока свежего пере сыщенного раствора к поверхности растущих кристаллов. Перемещение кристалла относительно раствора способствует росту за счет отвода от его поверхностей пленки обедненного, слабонасыщенного раствора и притока свежего раствора, имеющего большее пересыщ ение.

Известные способы выращивания кристаллов, в целях быстрого восстановления пересыщенпя вокруг растущего кристалла, предусматривают пер емешпвание раствора или вращение кристалла в растворе.

Предлагаемый способ позволяет повысить скорости роста кристаллов благодаря тому, что кристаллы в процессе роста приводят в колебательное движение, причем это движение может осуществляться с оольшой частотой от десятков герц до десятков килогерц и сочетаться с движением раствора.

Силы, возникающие прп быстрых механических колебаниях кристалла, будут интенсивно разрушать пленку потерявшего пер есыщенпе раствора, обволакивающую грани кристалла, чем достигается устранение одной из основных причин замедления его роста.

Одно илп несколько одновремеHHbIx Еолебательных движений, необходимых для ускорения его роста, можно сообщать кристаллу прп помощи механических и электромагнитных механизмов, магнитострикционных и пьезоэлектрических виб раторов.

Предмет изобретения

Способ выращивания кристаллов из неподвижных или пер с мешина емых растворов, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста кристаллов, последнии сообщают колебательное движение звуковой плп ультразвуковой частоты, в одном плп нескольки направлениях.