Строителев С.А.

 1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в...

 Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при...