Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников

Реферат

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10^oC ниже, чем при контакте с источником.