Болховитянов Ю.Б.

 Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при...

 Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщ...