Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия- алюминия

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия- алюминия

Реферат

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа A^III - B^V из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.