H01L21/368 - с использованием жидкостного осаждения

Способ получения на поверхности меди для купроксных выпрямителей слоя ее закиси

№ 7410о

74106

Способ получения р - «-переходов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 06.1Х.1965 (№ 1025644/26-25) Кл, 21g, 11/02 с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 16.Ч.1967. Бюллетень № 11 МПК Н 01/ УДК 539.234:541.412 (088.8) Комитет по делам изобретениЯ и открытиЯ при Совете Министров СССР Дата опубликовани...

196177

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при...

525380

Способ получения полупроводниковых структур

Союз Соввтскнх Соцналксткческих Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЙТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.04.76(21) 2351166/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.786юллетеиь tl4i 31 (11) 588851 Я (51) М. Кл. Н 01 L 21/368 Гввуйврвтввнна и квм»тат Свввтв Министров СССР в делам изабрвтвний и еткрктий (53) УДК...

588851

Способ обработки поверхности полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, состоящий в удалении остаточного раствора-расплава с поверхности подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения гладкой, свободной от образований поверхности, удаление осуществляют путем приведения поверхности с остаточным раствором-расплавом в контакт с системой капилляров, охватывающей всю обрабаты...

786720

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов. Контейнер 3 с емкостями расположен под многосекционным держ...

2515316

Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора

Изобретение относится к металлооксидным тонким пленкам, используемым при изготовлении полевого транзистора. Жидкость для нанесения покрытия с образованием металлооксидной тонкой пленки включает неорганическое соединение индия, по меньшей мере одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка, простой гликолевый эфир и диол, причем диол выбран из по меньшей мере одного...

2546725

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdxhg(1-x)te p-типа проводимости

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe с химическим составом в инт...

2602123

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<...

2633901

H01L21/368 - с использованием жидкостного осаждения

Патенты в этой категории