Покровская С.В.
Изобретатель Покровская С.В. является автором следующих патентов:
Способ обработки поверхности полупроводников
Способ обработки поверхности полупроводников, например германия, соединениями серы при температуре 430 - 450oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса сульфидирования, поверхность германия подвергают воздействию безводного сероводорода.
221176