PatentDB.ru — поиск по патентным документам

КАЛИНИН В.В.

Изобретатель КАЛИНИН В.В. является автором следующих патентов:

Устройство для определения фильтрационных свойств материалов

Устройство для определения фильтрационных свойств материалов

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФИЛЬТРАЦИОННЫХ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ, содержащее нагрузочный,' фильтрационный, измерительный узлы и рабочую камеру для испытуемого образца, отличающееся тем, что, с целью обеспечения моделирования контакта различных материалов, рабочая'камера снабжена выдвижным шаблоном, выполненным в виде'нескольких соединенных вогнутых пластин, вогнутость которых направле...

263990

Способ охлаждения сверхпроводящих маг-нитов

Способ охлаждения сверхпроводящих маг-нитов

  г ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, Союз Соаетскии - Социалистических Республик pij646689 Р:-. А t . ь i -7.,„ К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву М Клз (22) Заявлено 12.09. 77 (21)2521636/18-25 Н 05 Н 7/00 Н 01 F:15/06 с присоединением заявки М— 23 П ио итет Государствеииый комитет СССР по делам изобретеиий и открытий () p p Опубликовано 2302,81. Бю...

646689

Способ изготовления планарных полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ изготовления планарных полупроводниковых приборов и интегральных схем

  СПОСОБ ИЗ ГО ТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий бомбардировку полупроводниковой пластины : . ионами и термообработку при темпераг. туре 670-JOOO К, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения качества полупррводниковых приборов и интегральных схем путем устранения образовавшихся стержнеобразных дефектов , после термообработки пров...

1102416

Способ изготовления матричного накопителя для постоянного запоминающего устройства

Способ изготовления матричного накопителя для постоянного запоминающего устройства

  Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. Целью изобретения является повышение выхода годных за счет уменьшения подтрзпливакия второго и третьего диэлектрических слоев и над краями поликремниевых электродов. За счет подачи высоких положительных напряжений на управляющие затворы и стоки выбранных...

1628735