PatentDB.ru — поиск по патентным документам

РЖАНОВ А.В.

Изобретатель РЖАНОВ А.В. является автором следующих патентов:

Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам

Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ; Союз Советскнх Соцнавнстнческнх Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-ву— (22) 3аявлено 040269 (2Ц 1305098/26-25 (51) N. Ka. H 0l b 7/34 с присоединением заявки ¹Государственный комнтет СССР н о делам нзобретенн и н открытнй (23) Приоритет " (53) УДК 621.382 ° .002(088.8) Опубликовано 2501.79 Б|оллетеиь ¹ 3 Дата опублик...

348132

Матрица приборов с зарядовой связью

Матрица приборов с зарядовой связью

  МАТРИЦА ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая полупроводниковый кристалл и системы горизонтальных пересекающихся электродов, разделенных между собой и кристаллом слоями диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, нижний проводя1дий электрод в области перерытия с верхним электродом имеет окно, причем один из электродов является общим для вс...

533090

Способ регистрации светового излучения

Способ регистрации светового излучения

  COlO3 СОВЕТС СОЦИАЛИСТИЧЕСКИМ= РЕСПУБЛИН (19) ЗС51) . H 01 L 31/ОО ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 2383854/18-25 (22 ) 12.07.76 (46) 29.02.84. Бюл. Р 8 (72) Х.И. Кляус, А.В. Ржанов и Е.И. Черепов (71) Институт физики полупроводников СО AH СССР (53) 621 382(088.8) (56) 1. Носов Ю.Р ..и др. П...

667016

Матрица приборов с зарядовой связью

Матрица приборов с зарядовой связью

  МАТРИЦА ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ по авт.св. № 533090, от л ичающаяся тем, что, с целью реализации функции АЗУ, на полупровод" никовой подложке размещен слой полу- П1рЬвддника; противоположного типа проводимости, а слой диэлектрика под одним из электродов в каждой ячейке содержит ловушки захвата метастабильного заряда. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 09) (11) ОП...

719408

Оптоэлектронный элемент памяти

Оптоэлектронный элемент памяти

  ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку р -типа проводимости и размещенный на подложке слой полупроводника П -типа проводимости, в лсотором размещена запоминающая среда с рас- i положенными в ней ft *-областями стока и истока,'о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения надежное* ти элемента, запоминающая среда выполнена в виде области полупро...

797406


Устройство для молекулярнолучевой эпитаксии

Устройство для молекулярнолучевой эпитаксии

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОЛЕКУЛЯР- НО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, включающее камеру роста, камеру анализа и камеру очистки подложек, соединенные через вакуумные затворы, средства для загрузки ивыгрузки подложек и систему их перемещения из камеры в камеру, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и чистоты процесса, средства для загрузки и выгрузки подложек размещены в отдельны...

799521