Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ;

Союз Советскнх

Соцнавнстнческнх

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-ву— (22) 3аявлено 040269 (2Ц 1305098/26-25 (51) N. Ka.

H 0l b 7/34 с присоединением заявки ¹Государственный комнтет

СССР н о делам нзобретенн и н открытнй (23) Приоритет " (53) УДК 621.382 ° .002(088.8) Опубликовано 2501.79 Б|оллетеиь ¹ 3

Дата опубликования описания 250179

P2) Авторы изобретения

Э.А.Клименко, А.В.Ржанов, Л.Н.Александров и A.Ã.Êëèìåíêo (71) Заявитель

Институт физики попупроводников Сибирского отделения AH СССР (54) СНОСОВ ПРИСОЕДИНЕНИЯ ИОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ

ПЛАСТИН КРЕМНИЯ К ИНОРОДНЫМ ПОДЛОЖКАМ

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, в частности к технологии изготовления монокристаллических слоев полупроводников на различных инородных подложках. 5

В известных способах эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев иа инородных монокристаллических подложках к электроннолучевой перекристаллизации и реотаксиального О наращивания на инородных поликристаллических подложках .имеют место ограниченность выбора подложек и наличие в слоях больших механических напряжений вследствие значительного различия в коэффициентах термического расширения, а также несоответствия параметров решетки материалов слоя ло и под жки, Цель изобретения - разработка способа присоединения монокристалличес- ких пластин к инородным подложкам, по которому не происходило бы заметного изменения электрофизнческих и струк- Ф турных свойств присоединяемых к подложкам монокристаллических пластин.

Это достигается введением между монокристаллической пластиной и подложкой промежуточного слоя из материала, имеющего меньшую температуру плавления,-чем температура плавления материала пластины, и способного об- . разовывать с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердых растворов. В результате прочно соеди- няются подложка с промежуточным слоем при расплавлении последнего, а также промежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, при которых материал пластины еще относительно мало химически активен.

Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и в вакууме 10

10 мм.рт.ст. разогревают до 9371420 С, т.е. в диапазоне температур, соответствующих образованию равновесных растворрв системы германий-крем"ний. Скорость нагрева составляет нв более 15 град/мин. При этом между плас- иной кремния и подложкой образуется жидкий слой равновесного раствора сис ний. Затем

348132

Составитель М.Ленешкина

ТехредО.Андрейко Корректор M.Демчик, Редактор Т.Колодцева

Заказ 7857/1 Тираж 92 L Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР .по делам изобретений и открытий

11.3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная, 4 снижают температуру со скоростью не более 15 град/мин, в результате чего жидкий слой раствора германий-кремний кристаллизуется в виде монокристалла, а кремневая пластинка оказывается прочно соединенной с инородной подложкой.

Нанесение слоя германий производят либо путем его напыления в вакууме, либо наложением тонкой (30-40 мкм) пластинки германия на пластину кремния.

Формула изобретения

Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам посредством монокристаллических прослоек равновесных твердых растворов вещества присоединяемого б кристалла, отличающийся тем, что, с целью сохранения свойств и структуры монокристаллических пластин в области их контакта с подложЭ-кой, в качестве прослойки используют германйй; близкий По своим свойствам к присоединяемому кремнию,