КРАВЧЕНКО В.Б.
Изобретатель КРАВЧЕНКО В.Б. является автором следующих патентов:
![Активный материал для оптических квантовых генераторов и оптических квантовых усилителей Активный материал для оптических квантовых генераторов и оптических квантовых усилителей](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f67e46801eb78f40173f18e68664484c.jpg)
Активный материал для оптических квантовых генераторов и оптических квантовых усилителей
I о1>355916 Союз Советснни Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (63) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено170670 (21) 1448746/18-25 с присоединением заявки ¹(23) Приоритет— Опубликовано 15,0679. Бюллетень ¹ 22 Дата опубликования описания 150679 (51)М. Кл. Н 01 S 3/17 Государствекный кои нтет СССР во делан изобретен нй и открытий (53) УДК 621. 3...
355916![Шихта для выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков Шихта для выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5b9d7b6c64ef268c0949c0c292dff67d.jpg)
Шихта для выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков
а 2, ОЛ ИКАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ (ц) 421356 {61) Дополнительное к авт. свчд-ву (22) Заявлено11.05.71 (21) 1655058/23-26 с присоединением заявки № (23) Приорит ет (43) Опубликовано05 12 76 Бюллетень № 45 (45) Дата опубликования описания 10.03.77 (51) М, Кл. В 01 J 17/06 Гасударственный комитет Совета Министров СССР по делам изоаретений и открытий (53) УДК 62 1. 315. 592 (088. 8) (...
421356![Многокристаллический сегнетоэлектрический материал Многокристаллический сегнетоэлектрический материал](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b5e178785939328436a8edc648900d4d.jpg)
Многокристаллический сегнетоэлектрический материал
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕДВСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено26.01.73 (21) 1877040/23-26 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.12.76. Бюллетень № 45 (45) Дата опубликования описания10.03.77 Союз Советских Социал истиыеских Реслублик (11) 466693 и с % а а ъ Р Т 7Ъ Г1 ( (l т (51) М. Кл.- В 01 Х 17/00 Н 01 L 41/...
466693![Оптическое стекло-волокно Оптическое стекло-волокно](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7c7b05d1cc553301e5f60122ee002e72.jpg)
Оптическое стекло-волокно
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 0689IOS Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное. h в Г. спид-в (22) Заявлено 23.06.78 (21) 2636186/29-33 с присоединением заявки че (23) Приоритет Опубликовано 23.06.82. Бюллетень Ме 23 (51) М. Кл.з С 03В 37/025 Государстееннык комитет (53) УДК 666.189,212 (088.8) по делам изобретений и открытий Дата опуб...
689106![Оптическое волокно Оптическое волокно](https://img.patentdb.ru/i/200x200/20741cfbab5bc6817e65a3d8e531c537.jpg)
Оптическое волокно
ОЛИ АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ii736769 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 01.08.78 (21) 2652232/18-10 с присоединением заявки № (51) М.К . G 02В 5/16 осУдаРственкый комитет (23) Приоритег (53) УДК 535.813 (088.8) Опубликовано 23.06.82. Бюллетень № 23 Дата опубликования описания 23.06.82 по делам изобр...
736769![Носитель для тепловой записи негативного изображения и способ записи негативного изображения на указанный носитель Носитель для тепловой записи негативного изображения и способ записи негативного изображения на указанный носитель](https://img.patentdb.ru/i/200x200/72b302038fa13471cba5885cbc9793c2.jpg)
Носитель для тепловой записи негативного изображения и способ записи негативного изображения на указанный носитель
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскик Социалистических Республик (6t ) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 2908.78 (23) 2659504/18-10 (51)pA К, 3 G 03 С 5/00 G 03 С 1/00 03 G 5/00 с присоединением заявки Ио 2659 2 78/18-10 Государетаеииый комитет СССР ио яеаам изобретеиий и открытий (23) Приоритет 31. 08. 78 Опубликовано 070281, Бюллетень Мо 33 (53) УД (772. 93 (088.8)...
784556![Протонный магнитометр Протонный магнитометр](https://img.patentdb.ru/i/200x200/101f9874cda07a772c0e546b2c8425e5.jpg)
Протонный магнитометр
COIO3 СОВЕТСНИХ СОЫИАЛИСТИЧЕСНИ Х РЕСПУБЛИН (19) (111 ()) 5 G 01 V 3/14 ОПИСАНИЕ ИЯО РЕТ НИД Я Д BT0PCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ (la ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯ11 ПРИ П-(НТ СССР (2I ) 2701552/25 (22) 10.0 1.79 (46) 30 ° 03 92. Бюл. 11 12 (72) 0.Б.Кравченко и А.А.Хромов (53) 550.838.08(088.8) (56) Померанцев Н.М. и др. Квантовая магнитометрия. Геофизическая аппа...
793133![Стекло для лазеров Стекло для лазеров](https://img.patentdb.ru/i/200x200/cb8772030b789cefde59c969296912bd.jpg)
Стекло для лазеров
Ичобрп ИГР отпопчгя к состач,м трбпьвых ПРКОЯ, пррдпатнлчрнных дня нэгото членин актшингх элементов и yrnjiHTPJiert, работагоиитх в ди.пычоче длин чопн ,Ч . С цглью снижения ппрогог оч чнерг ии накачки ПОПМИРНИЯ КШ1 птсра стекпо вкгтючя0г счсдуюшнс кс ьпюнрнты, fлc.7: RjjO 11-18, где Я,0-1лгО, NV,n, K70, Al Oj 4,6-7, , 0, 1-0,5, Vh7( -, Г-1Г , 17(Ч 5Н65, Сг70-, 0, 01--0, 5. Дости...
1573756![Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a12a3f03482ce5eb012db6e3e2202e2d.jpg)
Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников
Изобретение относится к сверхпроводимости Цель изобретения - повышение величины критического тока за счет создания текстурированных пленок. (001) с осью текстуры ортогонально плоскости подложки Поставленная цель достигается тем, что после вакуумного напыления пленки состава (TR) Ва2Си3Ог х,где TR У, Ей, Ег, на подложку проводят нагревание пленки до температуры отжига. Отжиг прово...
1651704