Шихта для выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков

Шихта для выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

а

2, ОЛ ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (ц) 421356

{61) Дополнительное к авт. свчд-ву (22) Заявлено11.05.71 (21) 1655058/23-26 с присоединением заявки № (23) Приорит ет (43) Опубликовано05 12 76 Бюллетень № 45 (45) Дата опубликования описания 10.03.77 (51) М, Кл. В 01 J 17/06

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изоаретений и открытий (53) УДК 62 1. 315. 592 (088. 8) (72) Авторы изобретения

О. Ф. Дудник, Ю, Л. Копылов, В. В. Кравченко и h. A. Морозов

Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники, Фрязинская часть (71) Эаявитель (54) НИХТА ДЛЯ ВЫРАШИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ИЗ РАСПЛАВА

20

Изобретение относится к области вырашивания монокристаллов сегнетоэлектриков из расплава, например, по методу foxpQJIbczoI o.

Для получения монокристаллов сегнего- 5 электриков известен состав шихты следуя>шего сос гава, мол.%: ВаО 12,5-37,5, <8 37,5-12,5 и МВо05 остальное,из которой получают кристалл состава Вс.„$т.„„йЬ Оа, где Х = 0,25-0,75. Эти кристаллы имеют 10 довольно высокие значения пироэлектрического коэф ллциента вдоль голярной оси, особенно для Х = 35-0.25, и используются в пироэлектрических приемниках.

Однако величина пироэлектрического коэффициента при комнатной температуре недостаточно высока. Кроме того, кристаллы имеют узкий интервал температур

Кюри.

Цель изобретения — увеличение пироэлектрического коэффициента при комнатной температуре в вырашенных кристаллах и расширение интервала значений температуры Кюри.

Для получения кристаллов с максимально высокими величинами пирокоэффициента, содержаших окислы бария, стронция и ниобия, шихту берут в следуюшем or ношении компонентов, мол.%: Sa O7,5-12;

Sl О 38 — 47,5; N b 0 — остальное, и сумма Ва О + Ьг0 составляет 45

В качестве исходных компонентоь ин хты можно брать не только чистые окислы, но и соли бария и стронция, даюшие при нагреве окислы, например карбонаты или нитраты. Для получения кристаллов широким интервалом температур Кюри в шитхе указанного состава до 15 мол.% Nl3 Озаменяют на один или несколько окислов из гру..пы Т 0 Sr О,Н f О Тс(0

Компоненты шихты смешивают, помешают в платиновый или иридиевый тигель, нагревают до температуры плавления и из расплава производят выращивание кристалла, например, путем вытягивания на затравку по методу Чохральского.

Пример 1. Шихту, состояшую из

12 1 г ВаО (10 мол %), 32 8 г 5 О

Фф

", "0 мол.%), 105 1 г МЬ„О.(50 мод.%), тшательнo смешивакт, помешают в платиновый или иридиевый тигель и нагревают в

+ о индукционной печи go 1450 - оО t-, при которой производят вытягивание кристалла по методу Чохральского. Скорость врашения затравки 2 100 об/мин, скорость вытягивания 1,5 — 8 мм/час. Полученный ристалл имеет cocTGB о 8 с 0 х 20д о

I температуру Кюри 52 С и пироэлектричес- 1О кий коэффициент вдоль полярной оси при о

24 С 0,75 10 к.см ° град, что почти

-6 в два раза превышает величину- 0,4 10 для лучшего известного состава B a с, < о7 15

П p "- м е р 2. Шихту, состояшую из

17,5 г B cr C O, (1 1,25 мол.%), 45, 0 S v <0» (38,75 мол. o 8 0), 104,8 г М6 0 (50 мол.%) подвергают последовательно таким же операциям, как в примере 1. Полученный крис- талл состава о>0 zz5 в0775 ЙЪ О,имеет темо пературу Кюри 52. С, пироэлектрический о коэффициент при 24 С, 0,68 10 ксм-град

Пример 3. Шихту, состояшую из

12,0 г ВаО (9,5 мол. %), 34,5 6) О (40,,5 мол. %), 98.7 г ИЪЯ(45,2 мол%), 5С

Р . 8 Г б Г 3 i,8 лол, %) ., Подвевгают последовательно таким же операциям, как ь примере 1. Скорость вытягивания составляет 1 — 2 мм/час. Полученный кристалл имеет состав & е Эа о КЬ бг 0 -и

îz 6" температуру Кюри 60 С.

Ф ормула изобретения

1. Шихта для вырашивания монокристаллов сегнетоэлектриков из расплава, содержашая окислы бария, стронция и ниобия, о - л и ч а ю ш а я " я тем, что, с целью увеличения пироэлектрического коэффициента в вырашенных кристаллах, компоненты взяты в следуюшем отношении, мол.%:

Ва0 7,5 — 12; St 038 — 47,5; МЬ 0 остальное и сумма ВаО + Sl О составляет

45 -55.

2. Шихтапоп. 1, отличаюшаяс я тем, что, с целью расширения интервала значений температуры Кюри, до

15 мол, .4 М Ь О заменены одним или несколькими окислами, выбранными из группы, Г о

Составитель В, Кравченко

Редактор 10, Лгапова Техред М. Ликович Корректор В. 3орина

3ахаз 5767/27" Тираж 864 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

1 3 3035. Москва, Ж-35, Рау.нская наб., д. 4/5

ПП (Пат нт", г. Ужгород, уд. Проектная, !