PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Шкуропат И.Г.

Изобретатель Шкуропат И.Г. является автором следующих патентов:

Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов

Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов

  36476 Класс 21g, 11а2 ВС1;С1Ц;Щ1ДЦ т РЛ TÃНТ11011 -X til) :, ЯД 11 БИЬА1111;: ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л6 97 В. И. Варданян, Е. П. Дробышев, Г. А. Зеликман, И. П. Лукашова, P. Г. Соловьева, Г. И. Тодорова и И. Г. Шкуропат СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р-п ПЕРЕХОДА ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ Заявлено 19 мая 1960 г. за ¹ 667130/24 в Комитет по делам из...

136476

Способ проверки герметичности замкнутых оболочек

Способ проверки герметичности замкнутых оболочек

  — ¹ 136945 » .о. Ц д;;,i,H ) Класс 42k, 30в! ссср QIlVICAHME ИЗОБРЕТЕЧИя К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 172 Е. П. Дробышев, И. Г. Шкуропат, В. И. Варданян, И. Л. Грандилевская, Б. П. Дробышев, Г. И. Тодорова и Г. М. Ильина СПОСОБ ПРОВЕРКИ ГЕРМЕТИЧНОСТИ ЗАМКНУТЫХ ОБОЛОЧЕК Заявлено 29 июля !960 г. за М 675166j26 в комитет ио делич изобретении и отирыти!1 Ilpll...

136945

Газочувствительный датчик на основе полевого транзистора

Газочувствительный датчик на основе полевого транзистора

 Использование: в микроэлектронной промышленности при изготовлении газочувствительных датчиков. Сущность изобретения: датчик содержит кремниевую подложку с областями стока и истока, слой тонкого диэлектрика между ними, на котором расположен затвор. В слое толстого диэлектрика выполнены отверстия для контактов к областям стока и истока. На слое тонкого диэлектрика между затвором и слоем тол...

2061233

Интегральный тепловой элемент

Интегральный тепловой элемент

 Использование: в качестве нагревателя интегрального полупроводникового газового датчика, инфракрасного излучателя адсорбционного оптического газоанализатора, активатора печатающей головки струйного принтера. Технический результат - повышение надежности и долговечности теплового элемента. Сущность: наносят тонкий слой монокристаллического кремния на многослойную диэлектрическую тонкопленоч...

2141649

Газочувствительный датчик на основе полевого транзистора и способ определения концентрации газов.

Газочувствительный датчик на основе полевого транзистора и способ определения концентрации газов.

 Использование: в первичных преобразователях концентрации газов в электрические сигналы. Технический результат: снижение энергопотребления и расширение спектра диагностируемых газов газочувствительного датчика на основе полевого транзистора. На поверхность подложки кремния, на котором формируется газочувствительный полевой транзистор с нагревателем из поликремния, наносится многослойная ди...

2169363