Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов

Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

36476

Класс 21g, 11а2

ВС1;С1Ц;Щ1ДЦ т РЛ TÃНТ11011 -X til) :, ЯД 11

БИЬА1111;:

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л6 97

В. И. Варданян, Е. П. Дробышев, Г. А. Зеликман, И. П. Лукашова, P. Г. Соловьева, Г. И. Тодорова и И. Г. Шкуропат

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р-п ПЕРЕХОДА ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ

ДИОДОВ

Заявлено 19 мая 1960 г. за ¹ 667130/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 5 за 1961 г.

Один из наиболее распространенных способов получения р-и перехода для кремниевых диодов с использованием диффузии алюминия в кремний заключается в том, что на поверхности кремния создается слой, содержащий значительное количество донорной примеси, который затем сплавляется с кремнием. Удобной донорной примесью с помощью которой на кремнии и-типа можно получить р-п переход, является алюминий, наносимый на пластину из кремния испарением в ваккуме с последующей диффузией его в кремний при температуре 1200 . При применении такого способа вследствие возможности реакции алюминия с кварцем трудно добиться однозначных результатов. Поэтому для получения р-п перехода с использованием диффузии алюминия в кремний сплавляются пластины кремния и- и р-типов и только после этого производится диффузионный нагрев. Таким образом достигается однозначность результатов, но усложняется технологический процесс получения р-и перехода.

Для упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости предлагается перед испарением в вакууме нагревать пластинку из кремния до 700 — 800" .

Для получения р-п перехода при применении предлагаемого способа предварительно протравленная кремниевая пластинка толщиной 0,35—

0,45 ям покрывается с одной стороны слоем никеля и помещается в вакуумную печь, где нагревается до температуры 700 — 800 . Затем, не прекращая нагрева, на пластинку наносят испарением в вакууме слой алюминия толщиной 1 — 3 мк и пластинка охлаждается до комнатной температуры, после чего на нее наносится тем же методом второй слой алюминия толщиной 5 — 7 л к. Пластинка вновь нагревается до температуры 700 — 800, выдерживается при этой температуре в течение 1 час и затем охлаждается до комнатной температуры. После этого пластинка — 2

М 136476 извлекается из вакуумной печи и производится ее диффузионный нагрев в течение 6 — 8 час в атмосфере воздуха при температуре 1200 — 1300 и слой сплава кремния с алюминием удаляется путем шлифовки. Затем на поверхность наносится никель и производится золочение.

Предмет изобретения

Редактор В. М. Парнес. Техред А. А. Кудрявицкая. Корректор С. Ю. Цверина.

Поди. к печ. 2О /IV-6ill г. Формат бум. 7О 108 /и.

3 а к. 899/2 . Тираж 16ОО.

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Объем О,17 усл. п. л.

Цена 3 коп.

Типография, пр. Сапунова 2, Способ получения р-и перехода для кремниевых диодов, заключающийся в том, что на пластинку кремния и-типа испарением в вакууме наносят алюминиевый слой, из которого затем при температуре 1200" производится диффузия алюминия в кремний, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости, перед испарением в вакууме пластинку из кремния предварительно нагревают до 700 †8,