H01L21/225 - диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя

Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов

36476 Класс 21g, 11а2 ВС1;С1Ц;Щ1ДЦ т РЛ TÃНТ11011 -X til) :, ЯД 11 БИЬА1111;: ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л6 97 В. И. Варданян, Е. П. Дробышев, Г. А. Зеликман, И. П. Лукашова, P. Г. Соловьева, Г. И. Тодорова и И. Г. Шкуропат СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р-п ПЕРЕХОДА ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ Заявлено 19 мая 1960 г. за ¹ 667130/24 в Комитет по делам из...

136476

Способ получения пленкообразующих растворов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКООБРАЗУЮЩИХ РАСТВОРОВ, включающий растворение в смеси органического растворителя и воды катализатора и соединений легирующих элементов и гид8Ц&Дг;лг:- .. ролиз тетраэтоксисилана, отличающийся тем, что, с целью получения pacTEiopa с уменьшенным временем созревания и увеличенньм сроком службы, в части органического растворителя и воды при ихобъемном со...

904476

Раствор для получения поверхностного источника диффузии

РАСТВОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИСТОЧНИКА ДИФФУЗЙ БОРА, включающий органический растворитель, катализатор, тетраэтоксисилан, эфир ортоборной кислоты и соединевия дру1 гчх легирукицих элементов, о т л и ч а ю щ и и с я тек, что, с цштыо получения близких к пределу раствори . мости в кремнии значений яоверхносI тной концентрации бора при твмперату- . ре диффузии не ниже 1423 К...

936743

Способ изготовления p-n-p-n структуры

Способ изготовления p-n-p-n структуры в окисляющей атмосфере, включающей отмывку поверхностей пластины кремния n-типа проводимости, диффузию в галогенсодержащей среде акцепторных примесей, стравливание двуокиси кремния с поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры и повышения их воспроизводимости, перед операцией отмывки осуществля...

1007546

Способ изготовления свч-биполярных транзисторов

Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p - n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей п...

1032936

Донорный раствор для получения поверхностного источника диффузии

Г, ДОНОРННЙ РАСТВОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИСТОЧНИКА даФФУЗИИ, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор и ортофосфорную киепоту, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что с целью получения диффузионных слоев толщиной 50200 мкм с поверхностной концентрацией фосфора более 1, см он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мае.%: Растворитель 45-62 0. Ка...

1040975

Способ формирования сильнолегированных областей в многослойных структурах

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ-В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ силовых -полупроводниковых приборов,, включающийосаждение растворов на поверхность кремниевых пластин для получения легированного окисла, помещение в лодочку вертикальной стопки пластин, совмещенных одноименными, сторонами,, загруаку лодочкк в нагретую печь и проведение диффузии при температуре1100 1300 С в...

1098455

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

(19)SU(11)1131388(13)A1(51) МПК 5 H01L21/225(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых и...

1131388

Способ изготовления многослойных структур n+pnpp+ типа

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что,...

1340476

Способ изготовления источника диффузионного легирования

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев. Целью изобретения является достижение стабильности источника диффузионного легирования бором в широком диапазоне температур. На пластины нитрида бора наносят слой двуокиси кремния толщиной 0,5 - 1,5 мк...

1347794

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в раств...

1400376

Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния и способ его приготовления

1. Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния, содержащий этиловый спирт, катализатор, тетраэтоксисилан и соединения 1-й легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат и 2-й легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения пр...

1424632

Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора

Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С. Цель - повышение уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975°С при производстве интегральных микросхем. Источник диффузии бора изготавливается следующим образом. Приготавливают диффузант путем смеш...

1454157

Способ изготовления твердого источника диффузии бора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению твердых источников диффузии бора. Цель - упрощение процесса диффузии за счет повышения окисляемости источника. Способ изготовления твердого источника включает приготовление диффузанта из смеси, содержащей, масс.%: нитрид бора 5-35 окись алюминия 5-35 свинцовый сурик 1,5-2,5 глицерин 30-60 вода 5...

1479973

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффуз...

1480664

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Орган...

1480665

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение качества структур за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа и упрощение технологии легирования. В данном способе на поверхности монокристаллического кремния фо...

1531753

Способ изготовления p - n-переходов с лавинным пробоем

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя. Цель изобретения - повышение быстродействия включения p - n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока. Шлифованную поверхно...

1563506

Твердый планарный источник диффузии фосфора

Изобретение относится к технологии интегральных схем, в частности к конструкции твердых планарных источников диффузии фосфора, которые применяются для выполнения технологических процессов диффузии при создании эмиттерных областей активных элементов, стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом, легирования сток-истоковых областей МДП-транзисторов, легирования поликремния и т.д. Целью...

1563507

Способ изготовления кремниевых многослойных структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание n-n+- или n-p+-двухслойной кремниевой структуры, формирование на ее поверхности маскирующего покрытия, формирование слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны слоя n-типа, формирование термическим окислением пленки окисла кремния, фотолитографическое вскрытие в ней окон со стороны слоя p-типа и формирован...

1568799

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор, ортофосфорную кислоту и соединение мышьяка, отличающийся тем, что, с целью повышения глубины диффузионных слоев до 100 мкм при сохранении высокой поверхностной концентрации, в качестве катализатора использована азотная кислота, а в качестве соединения мышьяка использована ортомы...

1593507

Способ диффузии алюминия и галлия в кремниевые пластины

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в п...

1593508

Способ изготовления кремниевых структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий химическую обработку пластин кремния n-типа проводимости, загрузку пластины и источника алюминия в печь, проведение первой термообработки - диффузии алюминия, выгрузку из печи, загрузку пластин и источника галлия в печь и проведение второй термообработки - диффузии галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения времени жизни дырок в n-...

1602275

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение качества за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния. В данном способе формируют две соприкасающиеся диффузионные области в монокремнии путем легирования их пленок диоксида кремния....

1635817

Пленкообразующий раствор

Использование: электронная техника, формирование диффузионных источников сурьмы на кремнии. Пленкообразующий раствор для легирования кремниевых пластин содержит дихлоргидратхлордиэтоксид сурьмы, тетраэтоксисилан, соляную кислоту, диглим, изопропиловый спирт и воду. Улучшается однородность легирования и повышается срок годности раствора. 1 табл. Изобретение относится к электронной технике...

1753886

H01L21/225 - диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя

Патенты в этой категории