Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов

Реферат

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую кислоту при следующих количественных соотношениях ингредиентов (мас.%): Этиловый спирт - 22 - 48 Азотнокислый алюминий - 8 - 18 Борная кислота - 0,02 - 0,20 Ортомышьяковая кислота - 35 - 65 Тетраэтоксисилан - 2 - 6