Локтаев Ю.М.

 Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пла...

 Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алю...

 1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формиро...

 1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что,...

 Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в раств...

 Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента, включающий помещение припоя алюминиевой основы между кремниевой структурой и электродом и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента, между поверхностью кремниевой структуры и припоем алюминиевой основы помещают слой силумина заэвтектического состава, термообработк...

 Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффуз...

 Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Орган...

 Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в п...

 Сущность изобретения: силовые электроды представляют собой диски, на боковой поверхности которых образована выступающая часть с наружным диаметром d1 . Диаметр d1 больше диаметра d2 полупроводникового элемента, зажатого между электродами. Выступающая часть силовых электродов имеет высоту h1 и отстоит от поверхности полупроводникового элемента на величину h3 . Величины d1, h1, h3 определяю...