PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Колоскова Л.Н.

Изобретатель Колоскова Л.Н. является автором следующих патентов:

Способ изготовления выпрямительных элементов

Способ изготовления выпрямительных элементов

 Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пла...

1082233

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла

 Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алю...

1127483

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла

 Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения ка...

1144566

Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа

Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа

 1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формиро...

1176782

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов

 Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффуз...

1480664