Способ изготовления p-n-p-n структуры
Патент 1007546
Авторы
Классы МПК
- H01L21/225 - диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя
- H01L21/34 - изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18[2]
Способ изготовления p-n-p-n структуры
Реферат
Способ изготовления p-n-p-n структуры в окисляющей атмосфере, включающей отмывку поверхностей пластины кремния n-типа проводимости, диффузию в галогенсодержащей среде акцепторных примесей, стравливание двуокиси кремния с поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры и повышения их воспроизводимости, перед операцией отмывки осуществляется полировка поверхностей пластины, после отмывки окисляют пластину в галогенсодержащей среде и стравливают образовавшуюся двуокись кремния с поверхностей пластины, затем на обе стороны пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную акцепторными примесями, после стравливания двуокиси кремния с поверхностей пластины на одну из ее сторон наносят пленку двуокиси кремния, легированную бором с концентрацией (1.1020 ÷ 1.10 22)см-3 и галлием с концентрацией (8.1018 ÷ 5.1019 )см-3, а на другую сторону пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную фосфором с концентрацией (1.1020 ÷ 1.1022 )см-3 и мышьяком с концентрацией (3.10 19 ÷ 2.1021)см -3 и проводят одновременную диффузию акцепторных и донорных примесей в галогенсодержащей атмосфере.