PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Соболев Н.А.

Изобретатель Соболев Н.А. является автором следующих патентов:

Установка для непрерывной разливки металла

Установка для непрерывной разливки металла

  1()" ф (ласс 7а, 8 СССР -> l h(Вой P В предлиг 1(. 3!Ой устин«вк(зг01 не IoСTI! Ок мс p> 10 Н (С Г(2 C O I l f TO K O ) l, I I P ОХОД5Н!(Н)I (3II) ТРИ ИИой от (.,Ë I1TK ТPЛ!>, ! 3h1 flO, 1! f(Н Н Ы и В ВИД(ПОВОРОТИОЙ, ЭК !ICiil Pl I I l!0 3(И (!С() !1 ОД Pi частей, соединяемы. спспиильными захвитимн, к(пopi>l(. Могут оыть выПОЛ(!С!! Bi и (Ву (и Нсй l IIC l li >И1PС помани>к) x...

105784

Шприц для небольших объемов полужидких веществ

Шприц для небольших объемов полужидких веществ

  Класс 421, 13„ № 148588 СССР опиоАние изоврвтввияК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Лв 173 Н, А. Соболев и Г. А. Минасян ШПРИЦ ДЛЯ НЕБОЛЪШИХ ОБЪЕМОВ ПОЛУ)КИДКИХ ВЕЩЕСТВ Заявлено 19 июня 1961 r. за № 735144/30-15 в Кбмитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 13 за 1962 г Известные шприцы для небольших объем...

148588

Способ изготовления p-n-p-n структуры

Способ изготовления p-n-p-n структуры

 Способ изготовления p-n-p-n структуры в окисляющей атмосфере, включающей отмывку поверхностей пластины кремния n-типа проводимости, диффузию в галогенсодержащей среде акцепторных примесей, стравливание двуокиси кремния с поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры и повышения их воспроизводимости, перед операцией отмывки осуществля...

1007546

Способ изготовления тиристоров

Способ изготовления тиристоров

 1. Способ изготовления тиристоров, включающий диффузию акцепторных примесей в шлифованную поверхность кремния, высокотемпературное окисление, фотолитографию, диффузию фосфора, повторное высокотемпературное окисление и обработку структуры для получения заданного времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов и упрощения т...

1082229

Способ получения высокоомного кремния

Способ получения высокоомного кремния

 Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней измене...

1331140


Устройство для контроля и реконфигурации дублированной вычислительной системы

Устройство для контроля и реконфигурации дублированной вычислительной системы

 Сущность изобретения: устройство содержит регистры 1 и 2 текущего результата, информационные входы 3, 4 устройства, блоки 5, 6, 7, 16 элементов И, регистр 8 промежуточного результата, элементы 9, 26, 17 ИЛИ, вход 10 сброса устройства, элементы И 12, 22, 23, 25, элементы 11, 13 задержки, синхровход 14 устройства, блоки 15, 20 элементов ИЛИ, схему 21 сравнения, счетчик 24 неисправностей, 18...

2015542