PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ШМАРЦЕВ Ю.В.

Изобретатель ШМАРЦЕВ Ю.В. является автором следующих патентов:

Способ получения кристаллических полупроводниковых структур

Способ получения кристаллических полупроводниковых структур

  Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) ЗЯ4693 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.05.71 (21) 1659181/23-26 с присоединением заявки № (51) М. Кл. В 01 J 17/06 Н 01 1 7/48 Государственный комитет Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (23) Приоритет(g3) УДК 62 1.315.592. .9 (088.8) (43)...

394093

Оптоэлектронная пара

Оптоэлектронная пара

  Союз Советских Социалистимвских Республик (t i) 472681 (бт) Дополнительное к авт. свил-ву(22) Зая eHo 05.03 73 (2() 1895849/26 25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.07 78,Вюллетен ь е (45) Дата опубликования описания 21,06.78 (51) M. Кл. Н 01 (, 29/20 Н 01 Ь 31/08 Государстеенный ноинтет Совета Инннотроа CCCP оо делам изобретеннй н открытнй (53)...

472601

Способ получения полупроводниковых структур

Способ получения полупроводниковых структур

  Союз Соввтскнх Соцналксткческих Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЙТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.04.76(21) 2351166/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.786юллетеиь tl4i 31 (11) 588851 Я (51) М. Кл. Н 01 L 21/368 Гввуйврвтввнна и квм»тат Свввтв Министров СССР в делам изабрвтвний и еткрктий (53) УДК...

588851

Фотогальваномагнитный датчик

Фотогальваномагнитный датчик

  1. ФОТОГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ ' ДАТЧИК, представляющий собой пластину полупроводника с контактами, помещенную в магнитное поле, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных Возможностей, он выполнен на основе варизонного полупроводника с градиентом ширины запрещенной зоны, направленным к освещаемой поверхности, а контакты расположены в плоскости, перпендикулярной направлени...

606475

Фотогальваномагнитный датчик

Фотогальваномагнитный датчик

  ФОТОГАЛЬБАНОМАГНИТНЫЙ ДАТЧИК по авт.св. № 606475, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности к магнитному полю, градиент запрещенной зоны vEo, выбран из условия:dVE^7,L2КТ,где L - диффузионная длина неосновных носителей; d - толщина пластин; К - постоянная Больцмана; Т - температура. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН „„Я0„„644211 Н 01 L 31/00, Н 01 L 4...

644211