Способ получения кристаллических полупроводниковых структур

Способ получения кристаллических полупроводниковых структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) ЗЯ4693 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.05.71 (21) 1659181/23-26 с присоединением заявки № (51) М. Кл.

В 01 J 17/06

Н 01 1 7/48

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (23) Приоритет(g3) УДК 62 1.315.592. .9 (088.8) (43) Опубликовано25.09.75 Бюллетень № 35 (45) Дата опубликования описания О9.12.75

Л. В. Голубев, Е. Ф. Корнеев и 10. В. Шмарцев (?2) Авторы изобретения

Ордена Ленина физик -технический институт им. А. Ф, Иоффе (?1) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к получению кристаллических полупроводниковых структур, представляющих собой совокупность слоев, материала с разным химическим составом.

Подобные структуры находят широкое при-и менение для создания полупроводниковых при боров, использующих свойства р-в- перехода или гетероперехода.

Известные способы получения кристаллических полупроводниковых структур или не 10 дают возможности получать большое количество слоев в структуре, или ведутся при температурных режимах, которые не препят. ствуют взаимной диффузии материалов близлежащих слоев. Известен способ получения 1а

; p-и- ?;-структур на германии, основанный на использовании эффекта Пельтье при про пускании импульсов постоянного тока через систему "твердое-расплав- твердое

О. 2

Периодическое йзмейение скорости кри1 сталлизации за счет изменения величины и полярности импульса тока дает возможность: получать р- т1 — переходы на германии. Процесс безынерционен и удобен в управлении, р так как изменение скорости кристаллизацйи осуществляется электрическим током.

Однако способ применим лишь для получения Р- т.- переходов и вследствие болт шой ширины расплавленной зоны длителен; получение структур, состоящих из тонких, порядка 1 0«1 00 А слоев, затруднительно вследствие высокой температуры процесса и идущих быстро диффузионных процессов, получение гетероструктур невозможно.

11елью настоящего изобретения являет ся получение многослойных структур с периодически меняющимся составом слоев по- рядка 10-100

Отличием предлагаемого способа являет ся использование в качестве одного твердого тела при пропускании импульса постоянного тока через систему твердое-расплав

-твердое твердого раствора соединений, образующих структуру, в качестве второго .твердого-одного из соединений, образующих структуру, а в качестве расплава-металла с температурой плавления ниже температуры плавления твердого раствора. Величина импульса постоянного тока;устанавливается

394O93

Соста внтел в д Голубев

Редактор Техред Корректор

Р КиШапаурова И.Карандашова Н.Стельмах аксаи 3Ц Идд. до 1И6 Торси 782 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Предприятие <Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

3 такой, чтобы на границе раздела твердый раствор-расплав .обеспечить растворение слоя твердого раствора заданной толщины.

Процесс получения периодической многослойной структуры, представляющей собой чередующиеся слои Ga„А1; л Sb—

"1д GB j-хам (где Х )) 1) проводится следующим образом.

В качестве (В1 . ) выделяется, а на про:тивоположной границе (GBSb — 81 ) поглощается тепло Пельтье. Под действием . его происходит растворение слоя твердого раствора @gab-ЯВЬ .толщиной, определяемой величиной импульса тока.

На границе GBSb В кристаллизуется слой

41xGa<>S6 так как коэффициент сегрегации A138j во много раз больше, чем у &А

По мере уменьшения А1 в прилегающем к границе 81 GhSb слое расплава кристал- лизуется слой GaxA1 <-x . ?????????? ????????????:?????????? ???????????? ???????????????? ????????, ???????????? ???????????? ???????? ?????????????????????????? ?? ???????????????????????????? ?????? ??????????????????. ???????????????????????? ???????????????????? ???????????????? ???????????????????????? ?????????????????? ?????????? ????????>щих периодически меняющийся состав.

Использование в системе растворителя дает возможность снизить температуру процесса. Если в качестве твердого используется твердый раствор СаЯЬ А18Ь, можно получить гетероструктуры. б

Предмет изобретения

1, Способ получения кристаллических aoi- лупроводниковых структур, заключающийся: I в пропускании импульсов постоянного тока различной величины через систему, твердоерасплав-твердое", о т л,и ч а ю шийся тем, что, с, целью получения многослойных,, структур, например GAS> А1$5 с периодически меняющимся составом, в качестве одно-, го твердого берут твердый раствор соединений, образующих структуру, в качестве второго твердого берут одно из соединений, образующих структуру, а в качестве рас2О плава берут металл с температурой плавления ниже температуоы плавления твердого раствора

2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ н «1-, с я тем, что величину импульсов тока устанавливают такой, чтобы на границе разJ .дела твердый раствор-расплав обеспечить ) ,растворение слоя твердого раствора задан- ной толщины.