Григоришин И.Л.

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, содержащий операции полировки алюминиевой заготовки, формирования на ней электродов с выводами и электрохимического анодирования алюминиевой заготовки, отличающийся тем, что, с целью изготовления многоэлектродной структуры, перед операцией полировки на поверхности алюминиевой заготовки выполняют микрорельеф для ра...

 (19)SU(11)430763(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/14, H05K3/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ Изобретение относится к электронной технике и может использоваться при изготовлении точных диэлектрических деталей для вакуумных ми...

 (19)SU(11)434861(13)A1(51)  МПК 5    H01J1/88, H01J21/10(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЙ ПРИБОР Изобретение относится к конструкции электронных вакуумных приборов и может быть использовано в электронной технике и промышленности в портативной маломощной аппарат...

 (19)SU(11)470226(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ Известный способ получения многоэлектродных структур для электровакуумных приборов не обеспечивает высокой точности микрорельефа...

 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по выс...

 (19)SU(11)529687(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве вакуумных интегральных схем, а также микросхем. Известны вакуумные интегральные схемы...

 (19)SU(11)580767(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ В УГЛУБЛЕНИЯХ Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве различных электродных структур микроприборов,...

 (19)SU(11)602040(13)A2(51)  МПК 5    H01J21/10(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных приборов и вакуумных интегральных схем. В основном изобретении по а...

 (19)SU(11)638169(13)A2(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве вакуумных интегральных схем (ВИС). Известная вакуумная интегральная схема, содержащая...

 (19)SU(11)646778(13)A1(51)  МПК 5    H01J1/30(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ПЛЕНОЧНЫЙ ХОЛОДНЫЙ КАТОД Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в электровакуумных приборах, в электронно-лучевых трубках, электронных микроскопах. Известен ненакаливае...

 (19)SU(11)688022(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/14(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ МЕТАЛЛА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении диэлектрических подложек вакуумн...

 (19)SU(11)716427(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/14(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Предлагаемый способ относится к электронной технике и может быть использован в производстве интегральных микросхем, катодно-подогревательных узлов и управля...

 (19)SU(11)784636(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/311(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАСОК Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технике получения микросхем, и может быть использовано при получении требуемой топологии резисторов, емкостей, ток...

 (19)SU(11)1120880(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДМ-СТРУКТУР С N-ОБРАЗНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в радиотехнике, вычислительной технике в системах автомат...

 (19)SU(11)1131379(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к электронной технике, конкретнее к технике получения электронных управляющих структур различных электровакуум...

 (19)SU(11)1264783(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/70(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ СБОРКИ МИКРОСХЕМ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении электронных вакуумных и полупроводниковых интеграль...

  Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности - достигается путем нанесения на ограничивающее покрытие дополнительного покрытия из материала, способного образовать твердый раствор с припоем. Паяный узел содержит диэлектрические подложки 1 с соосными отверстиями, вокруг...

 Изобретение относится к гальванопластике, в частности к технологии получения диафрагм для электронных микроскопов, и может быть также использовано в производстве модуляторных систем аналитических приборов управляющих электродных структур электронных приборов и др. Цель изобретения - повышение качества диафрагм. По изобретению на изоляционном слое из анодного оксида последовательно способо...