PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Девятых Г.Г.

Изобретатель Девятых Г.Г. является автором следующих патентов:

Способ выделения дивинила из газов пиролиза нефти

Способ выделения дивинила из газов пиролиза нефти

  Класс j>o, fллетснс изобретений» М 3 за 1962 г. В промышленных условиях при выделении дивинила из смеси углеводородов с четырьмя углеродными атомами методом экстрактивной ректификации в качестве экстрагента применяется только фурфурол, содер>кащий 4 6 "4 (вес) воды. Б кубе колонны фурфурол под воздействием температуры частично полимеризуется; после вывода фурфурола из колонны...

144472

Способ очистки летучих неорганических гидридов

Способ очистки летучих неорганических гидридов

 Способ очистки летучих неорганических гидридов от взвешенных частиц путем фильтрации гидридов в газообразном состоянии при температуре ниже 0oC, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, фильтрацию проводят при давлении 200-400 мм рт. ст.

614615

Способ изготовления оптического кабеля

Способ изготовления оптического кабеля

 Способ изготовления оптического кабеля, включающий формирование экструзией полимерного материала гибкого трубчатого элемента поверх световода, отличающийся тем, что, с целью получения кабеля с расположением световода с избытком по длине в нем, процесс осуществляют со степенью вытяжки 100-250, определяемой по формуле где Dм - внутренний диаметр матрицы; Dд - внешний диаметр дерна; Dэ - вн...

833590

Способ очистки летучих гидридов

Способ очистки летучих гидридов

 Способ очистки летучих гидридов, включающий ректификацию в колонне со средним резервуаром и отбор сконденсированных примесей при программированном изменении температуры испарителя, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени очистки гидридов, температуру испарителя понижают от температуры конденсации наиболее высококипящей примеси до температуры кипения гидрида со скоростью 5-20 гра...

1032708

Композиция для формирования оболочки оптического волокна

Композиция для формирования оболочки оптического волокна

 Композиция для формирования оболочки оптического волокна с сердцевиной из кварца, состоящая из кремнийорганического соединения с гидридными группами, кремнийорганического соединения с винильными группами и катализатора отверждения, отличающаяся тем, что, с целью сохранения световедущих свойств при температуре до -60oC и повышения механической прочности, в качестве кремнийорганического сое...

1115514


Сцинтилляционный позиционно-чувствительный детектор ионизирующих излучений (его варианты)

Сцинтилляционный позиционно-чувствительный детектор ионизирующих излучений (его варианты)

 1. Сцинтилляционный позиционно-чувствительный детектор ионизирующих излучений, содержащий сцинтиллятор и два фотоприемника, пристыкованных к противоположным концам сцинтиллятора, отличающийся тем, что, с целью расширения его функциональных возможностей путем регистрации позиционной информации по двум координатам и улучшения позиционного разрешения по одной из координат, сцинтиллятор выпол...

1145778

Многосопловая газовая горелка

Многосопловая газовая горелка

 Многосопловая газовая горелка для получения волоконных световодов, содержащая водоохлаждаемый мундштук с каналами подвода горючих газов и выходным участком и размещенный по оси мундштука центральный стержень с каналом для протягивания нити световода, отличающаяся тем, что, с целью получения нити световода большой протяженности, выходной участок мундштука выполнен в виде обратного конуса с...

1195752

Устройство для глубокой очистки газов

Устройство для глубокой очистки газов

 Изобретение относится к очистке веществ путем диффузии через полупроницаемые мембраны и позволяет повысить эффективность очистки газов от примесей за счет обеспечения противотока газовых смесей в обеих полостях. Повышение эффективности очистки достигается за счет того, что движение газовой смеси осуществляется в режиме противотока в элементах, имеющих форму круга. При этом в полости высок...

1503123

Способ изготовления волоконного ик-световода

Способ изготовления волоконного ик-световода

 Использование: приборостроение. Сущность изобретения: сплавляют при 550-650oС высокочистые мышьяк, серу и селен в вакуумированной кварцевой ампуле в течение 8-10 ч. Мышьяк и серу вводят моносульфитом мышьяка, предварительно очищенным вакуумной дистилляцией с удельной скоростью испарения (0,8-1,0)10-3 г/см2с. Вытягивают из расплава полученного халькогенидного стекла световода. 1 табл. Изоб...

1721997

Способ получения гидрида германия

Способ получения гидрида германия

 Изобретение относится к области получения высокочистых веществ. Цель изобретения повышение производительности и проведение процесса в течение длительного времени в условиях его безопасности. Поставленная цель достигается тем, что электролизу подвергается водно-щелочной раствор, содержащий 25-35 г/л GeO2 электролиз ведут при 75 85°С с перекрестным смещением потоков электролита, осуществляя...

1732697


Способ получения трихлорсилана

Способ получения трихлорсилана

 Изобретение относится к способам получения высокочистого трихлорсилана, применяемого в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники. Сущность изобретения: трихлорсилан получают взаимодействием тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом при 380 - 450°С и разделением смеси хлорсиланов на диффузионных мембранах. Получают трихлорсилан с содержанием SiCl4610...

2038297

Способ получения фильтрующего материала из двуокиси кремния для очистки газов и жидкостей

Способ получения фильтрующего материала из двуокиси кремния для очистки газов и жидкостей

 Изобретение относится к способам получения фильтров из двуокиси кремния для очистки газов и жидкостей от взвешенных частиц субмикронных размеров, применяемых при получении высокочистых материалов для полупроводниковой техники, волоконных световодов, и позволяет повысить производительность фильтров за счет увеличения их пористости, и эффективность очистки за счет сокращения размеров пор. В...

2038841

Способ получения диалкилмонотеллуридов

Способ получения диалкилмонотеллуридов

  Использование: в области элементоорганической химии, разработка электрохимического способа получения диалкилмонотеллуридов, ф лы RTeR, где R - алкильный радикал, используемых в микроэлектронике при изготовлении полупроводников типа A2B6 и твердых растворов на их основе. Сущность изобретения: диалкилмонотеллуриды получают растворением теллурового катода в щелочном гетерофазном электролите...

2041209

Способ получения поликристаллического селенида цинка

Способ получения поликристаллического селенида цинка

 Изобретение относится к силовой ИК-оптике, получению пассивных элементов мощных CO2 -лазеров. Сущность изобретения: на подложки из стеклоуглерода, нагретые до 650-750°С, осаждают промежуточный слой селенида цинка в течение 5 ч при концентрации исходных реагентов 40-50 моль/м3 а основной слой при концентрации 20-26 моль/м3. 1 табл. Изобретение относится к силовой ИК-оптике и касается разра...

2046843

Способ получения гидрида германия

Способ получения гидрида германия

 Изобретение относится к области получения летучих веществ и касается способа получения гидрида германия из германийсодержащих руд электрохимическим способом. Сущность изобретения заключается в том, что электролит готовят растворением в водно-щелочном растворе бедной германийсодержащей руды с добавлением перекиси водорода и электролиз ведут при плотности тока 2 - 4 А/см2 и температуре элек...

2071993


Способ получения высокочистого трихлорсилана и устройство для его осуществления

Способ получения высокочистого трихлорсилана и устройство для его осуществления

 Изобретение относится к получению кремнийсодержащих материалов и может быть использовано в производстве хлорсиланов, применяемых в технологии микроэлектроники и высокочистого кремния. Сущность изобретения состоит в том, что в плазмохимическом реакторе возбуждают высокочастотный плазменный разряд, подают в зону разряда реагенты - водород и тетрахлорид кремния, обеспечивают их взаимодействи...

2142909

Способ получения поликристаллического сульфида цинка

Способ получения поликристаллического сульфида цинка

 Изобретение относится к области ИК-оптики и касается разработки способа получения монолитных образцов поликристаллического сульфида цинка, используемых в оптике видимого и ИК-излучения в качестве материала для конструкционных оптических элементов. Способ включает подачу паров сероводорода и цинка потоком аргона к нагретым до 600-700oС подложкам и осаждение на них сульфида цинка при общем...

2221906