МОКЕЕВ М.В.
Изобретатель МОКЕЕВ М.В. является автором следующих патентов:

Элемент памяти
ЭЛЕМЕНТ ГШ-ШТИ на основе МНОП (металл-нитрид кремния и двуокись кремния - полупроводник) структуры, включающей область двуслойногодиэлектрика, обладающую эффектом за- nqMHHaHHH, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повьшения надежности, он содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие т...
440960