Элемент памяти

Элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ЭЛЕМЕНТ ГШ-ШТИ на основе МНОП (металл-нитрид кремния и двуокись кремния - полупроводник) структуры, включающей область двуслойногодиэлектрика, обладающую эффектом за- nqMHHaHHH, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повьшения надежности, он содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси' 'кремния в 15-^20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в области запоминания.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

60 А (19) (11) (51) 4 С 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 1829617/18-24 (22) 12.09.72 (46) 15.05.88. Бюл. ¹ 18 (72) В.А.болдырев, А.С.Гиновкер, М.В.Мокеев, Б.Г.Тепман и Г.С.Хрящев (53) 681.327.065(088.8) . (54)(57) ЭЛЕМЕНТ ПАЖИТИ на основе

MH0II (металл-нитрид кремния и двуокись кремния — полупроводник) структуры, включающей область двуслойного диэлектрика, обладающую эффектом запоминания, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повышения надежности, он содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси кремния в 15-20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в области за,поминания.

440960

Изобретение относится к области вычислительной техники и может использоваться для создания полупроводниковых постоянных запоминающих уст- 5 ройств с электрической перезаписью информации с сохранением информации при отключении питания.

Известны элементы памяти на основе структуры металл-нитрид кремния и 1р двуокись кремния-полупроводник (МНОП) работа которых основана на хранении заряда на границе раздела двух ди- электриков: двуокиси кремния и нитрида кремния. 15

Однако наличие состояния с поло. жительными значениями порогового напряжения делает невозможным схематическое применение отдельного элемента памяти и заставляет ставить последовательно с ним при образовании ячейки памяти обычный МДП-транзистор с .индуцированным каналом, низкие . значения напряжения пробоя р и переходов под диэлектриком затвора, 25 обусловленные близким расположением электрода затвора, снижают надежность элемента памяти и ограничивают амплитуду импульсов записи.

Цель изобретения — улучшить эксплуатационные характеристики и повысить надежность элемента памяти.

Это достигается тем, что предлагаемая конструкция элемента памяти, кроме области двуслойного диэлектри35 ка, обладающей эффектом запоминания, со слоем двуокиси кремния. толщиной

15-40 А и слоем,нитрида кремния толщиной 600-1200 Л, содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси кремния в 15-20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в .области запоминания.

На фиг. 1 представлена конструкция предлагаемого элемента памяти; на фиг. 2 показан характер,.зависимости тока стока элемента памяти от величины напряжения на затворе при записи и стирании информации.

Элемент памяти содержит подложку

1, область 2 истока, один дополнительный слой 3 двуокиси кремния, слой

4 двуокиси кремния в области запоми- . нания, электрод 5 затвора, второй дополнительный слой 6 двуокиси кремния, слой 7 нитрида кремния, область

8 стока.

Запись. информации осуществляется подачей на электрод затвора 5 (фиг. 1} импульса отрицательного напряжения, достаточного для туннелирования носителей заряда через слой .4 двуокиси кремния на границу раздела двуокиси кремния и нитрида кремния в области запоминания. Пороговое напряжение области запоминания сдвигается в сторону больших отрицательных значений.

Дополнительные области двуслойного диэлектрика со слоями 3 и 6 двуокиси кремния не обладают эффектом запоминания и сохраняют неизменным низкое пороговое напряжение отрицательной полярности. Так как предлагаемый элемент памяти аналоничен системе из трех последовательно соединенных транзисторов с общим затвором, пороговое напряжение при записи опреде— ляется наибольшим по абсолютной величине отрицательным пороговым напряжением области запоминания.

Для стирания записанной информации на электрод затвора подается импульс положительного напряжения. Пороговое напряжение области запоминания сдвигается в сторону положительных значений. Пороговое напряжение всей системы определяется низким отрицательным пороговым напряжением дополнительных областей двуслойного диэлект рика.

440960

-@ - - - o -a

Напряжение на от lope,д

Риз.2

Техред М.Ходанич

Корректор М. Васильева

Редактор Н.Сильнягина

Заказ 3384

Тираж 590 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4