ХРЯЩЕВ Г.С.

  ЭЛЕМЕНТ ГШ-ШТИ на основе МНОП (металл-нитрид кремния и двуокись кремния - полупроводник) структуры, включающей область двуслойногодиэлектрика, обладающую эффектом за- nqMHHaHHH, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повьшения надежности, он содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие т...

  ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ по авт.св. № 440960, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, он содержит дополнительные области запоминания, прилегающие к основной области запоминания и расположенные по обеим сторонам затвора liHOn структуры по ширине канала.Фиг.1(Л CZелtN9соО) ^ to>&^ СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК „,, SU „„529672 (51)Ъ G 11 С...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии н может быть использовано при необходимости прецизионной обработки жидкостными травителями структур антнмоннда индия для оптоэлектронных приборов. Целью изобретения является повышение воспроизводнмости толщины стравливаемого слоя за счет снижения скорости травления. Химическое полирование поверхности пластин и структур антимони...