ТЕПМАН Б.Г.

  ЭЛЕМЕНТ ГШ-ШТИ на основе МНОП (металл-нитрид кремния и двуокись кремния - полупроводник) структуры, включающей область двуслойногодиэлектрика, обладающую эффектом за- nqMHHaHHH, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повьшения надежности, он содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие т...

  Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов. Целью изобретения является увеличение эффективности геттера для пластин кремния с содержанием кислорода не менее 6-1017 см . Цель достигается тем. что формируют внутренний геттер в процессе трехступенчатого отжига. Перед отжигом проводят окисле...