ЧИСТЯКОВ ЮРИЙ ДМИТРИЕВИЧ
Изобретатель ЧИСТЯКОВ ЮРИЙ ДМИТРИЕВИЧ является автором следующих патентов:
![Способ получения автоэпитаксиального слоя кремния Способ получения автоэпитаксиального слоя кремния](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3ebdab3ab7a68be902d26f355a421278.jpg)
Способ получения автоэпитаксиального слоя кремния
(rr) 451 I47 ОГ1ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Советскнк Социалистичесиик Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 19.05.72 (21) 1787388 26-25 (51) М. Кл. Н Oll 7/36 с присоединением заявки № Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (32) Приоритет Опубликовано 25.11.74. Бюллетень № 43 Дата опублик...
451147![Способ измерения глубины слоев монокристаллического полупроводника Способ измерения глубины слоев монокристаллического полупроводника](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c8454aca1e5cbe1d7381408caa938f56.jpg)
Способ измерения глубины слоев монокристаллического полупроводника
Союз Советских Со@иалис,тицесяих Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 20.12.74. (21) 2085871/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.07.76. Бюллетень № 27 (45) Дата опубликования описания 30.11.76 (51) М. Кл. С-01 Н 27/00 Государственный комитет Совета Министров СССР па делам изооретений и отнрытий (53) УДК 621.382 (088.8)...
522462![Чувствительный элемент для измерения парциального давления водорода Чувствительный элемент для измерения парциального давления водорода](https://img.patentdb.ru/i/200x200/751a0f29e99e0bac8e3a85ab73d9ae02.jpg)
Чувствительный элемент для измерения парциального давления водорода
Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 3 с присоединением заявки ¹ G N 27/02 Государственный комитет ССС Р по делам изобретений и открытий (23) Приоритет t$3} УДК 543 ° 274 (088. 8) Опубликовано 070832, Бюллетень №29 Дата опубликования описания 07 ° 08 ° 82 « (72) Авторы изобретения Ю.И.Гохфельд, В.Г.Фадин, Н.Н.Антипо...
949469![Способ металлизации неметаллических материалов Способ металлизации неметаллических материалов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/76ca8b0cd1b91f3a9d07e807ce447c7d.jpg)
Способ металлизации неметаллических материалов
СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ Т- АТЕРИАПОВ путем натирания их поверхности сплавом на основе алюминия или силумина, о т л и ч аю щ и и с я тем, что, с целью .повышения адгезии, в состав сплава для покрытия дополнительно вводят более 30% германия, a нанесение покрытия осуществляют расплавом при . 450-500 0.. СОЮЗ СОВЕТСКИХ PUP РЕСПУБ ЛИК ае а» Заю С 04 В 41/14 ОПИСАНИЕ...
1121252![Термоанемометр Термоанемометр](https://img.patentdb.ru/i/200x200/45418f142cc8590e63216b9e4743affe.jpg)
Термоанемометр
СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН (19) (11) (11 4 G 01 P 5/12 / 1„ /„ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ / Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3643944/24-10 (22) 22,09.83 (46) 15.01,86. Бюл. 1(2 (71) Кубанский ордена Трудового Красного Знамени сельскохозяйственный институт (72) А.П. Бушмин, А,И. Бутурлин, Ю,И. Гладков,...
1205021![Датчик термоанемометрического расходомера Датчик термоанемометрического расходомера](https://img.patentdb.ru/i/200x200/abab2ea0344b7f28b9857fce4bf89c5c.jpg)
Датчик термоанемометрического расходомера
Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить чувствительность и снизить погрешность измерения. Для этого подложка выполнена в виде дуги, консольно закрепленной на хвостовой части пластины 1 обтекаемого профиля. На внешней поверхности подложки размещен измерительный терморезистор 2, которьй при введении датчика в поток реагирует на величину обтекающего его по...
1264004![Алмазный отрезной круг Алмазный отрезной круг](https://img.patentdb.ru/i/200x200/00ae1c3622d28985e6f73b3d994be4de.jpg)
Алмазный отрезной круг
Изобретение относится к области обработки материалов резанием и позволяет сократить расход обрабатываемого материала за счет уменьшения ширины пропила. Для этого в отрезном круге, содержащем корпус 2 с алмазоносным слоем 1, вьтолнены канавки 3, которые расположены на боковых поверхностях указанного слоя 1, Канавки 3 на одной из боковых поверхностей направлены в противоположную ст...
1323358![Способ изготовления абразивного инструмента Способ изготовления абразивного инструмента](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3793a199fc8789e6abaa6d8748e35149.jpg)
Способ изготовления абразивного инструмента
Изобретение относится к изготовлению алмазных кругов с внутренней режущей кромкой, используемых для резки полупроводниковых кристаллов на пластины. Целью изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик отрезного круга при отрезании тонких пластин от слитка. Изготовление алмазных кругов производят в емкости с электролитом и абразивными зернами путем закрепления зерен...
1390009![Тепловой микрорасходомер Тепловой микрорасходомер](https://img.patentdb.ru/i/200x200/de5e7e52a1e1ee4c136dbec7d878695f.jpg)
Тепловой микрорасходомер
Изобретение относится к измерению микрорасхода газов и может быть использовано в химической промышленности, газовой хроматографии и др. областях. Цель изобретения - повышение точности измерения за счет уменьшения влияния изменения пространственного положения расходомера и чувствительности. На измерительной трубке 1 размещены два нагреваемых термочувствительных элемента 4, 5 длиной...
1545084![Способ резки монокристаллов Способ резки монокристаллов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a2573b0c35d37d2eede83c4db88de9ec.jpg)
Способ резки монокристаллов
Изобретение относится к механической обработке твердых и хрупких материалов и может быть использовано при разделении полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов на пластины. Цель изобретения - повышение качества отрезаемых пластин. Способ заключается в том, что монокристаллу сообщают колебания вдоль оси, перпендикулярной направлению скорости поперечной подачи. Частоту и ам...
1685719